S2005ELD 时间：2025/8/5 5:17:49 阅读：22

S2005ELD 是一款由 IXYS 公司生产的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源转换和功率控制应用。该器件采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻和高开关性能，适合用于开关电源、DC-DC 转换器、负载开关以及电池管理系统等领域。S2005ELD 采用 TO-252（DPAK）封装形式，具备良好的散热性能和可靠性。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：200V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：10A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.45Ω（最大）
　　功耗（Pd）：100W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C

特性

S2005ELD MOSFET 具备多项优良特性，包括低导通电阻（Rds(on)）以减少导通损耗，提高系统效率；其沟槽技术确保了较高的电流承载能力和良好的热稳定性。
　　此外，该器件具有高雪崩能量承受能力，能够在瞬态过压条件下保持稳定工作，提高了整体系统的可靠性和耐久性。S2005ELD 的栅极设计优化了开关性能，降低了开关损耗，适合高频应用环境。
　　TO-252 封装不仅提供了良好的散热能力，还便于 PCB 布局和安装，适用于自动化生产和高密度电路设计。该器件符合 RoHS 标准，具备环保和无铅特性，适用于现代绿色电子设备的设计需求。

应用

S2005ELD 主要应用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电机驱动、负载开关、电池管理系统（BMS）、工业控制设备以及电信和网络设备中的功率管理模块。
　　由于其高耐压和良好的导通性能，该器件特别适合用于需要高效率和高可靠性的电源转换系统。在太阳能逆变器、电动车充电模块以及工业自动化设备中也有广泛的应用。
　　此外，S2005ELD 还适用于需要快速开关和低损耗特性的 PWM 控制电路，以及作为功率开关用于负载控制和保护电路中。