类型：N沟道增强型MOSFET
　　封装：SOT-23
　　漏源电压（VDS）：60V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：200mA
　　脉冲漏极电流（IDM）：800mA
　　功耗（PD）：300mW
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值5.5Ω（当VGS=10V时）
　　阈值电压（VGS(th)）：典型值1.1V，最大值2.0V
　　输入电容（Ciss）：约95pF（当VDS=10V，VGS=0V，f=1MHz）
　　开关时间（开启/关闭）：约15ns / 40ns（典型值）

VC573A的核心特性之一是其低阈值电压设计，使其能够在低至1.8V甚至更低的栅极驱动电压下实现有效的导通控制。这一特性特别适用于由锂电池供电或采用低电压微处理器直接驱动的应用场合，避免了额外电平转换电路的需求，从而简化系统设计并降低整体成本。该器件在VGS=2.5V时即可提供足够的漏极电流驱动能力，满足大多数数字逻辑接口的直接驱动需求。
　　另一个显著特点是其出色的开关速度。得益于较小的寄生电容和优化的芯片结构，VC573A具备快速的开启和关闭响应时间，典型开启时间为15ns，关闭时间为40ns。这种高速开关能力使其非常适合用于高频开关应用，如脉宽调制（PWM）信号控制、DC-DC转换器中的同步整流辅助电路或高速信号切换路径。同时，快速的开关动作减少了过渡期间的能量损耗，提高了系统的能效表现。
　　该MOSFET还具有较低的导通电阻（RDS(on)），在VGS=10V条件下典型值仅为5.5Ω。这不仅降低了导通状态下的功率损耗，也有助于减少发热，提升系统可靠性。即使在小电流工作条件下，也能保持较高的效率。此外，SOT-23封装提供了良好的热传导性能，在适当的PCB布局下可通过焊盘散热有效延长器件寿命。
　　VC573A具备较强的环境适应性，可在-55℃至+150℃的结温范围内稳定工作，适用于严苛的工业环境或高温密闭空间内的电子设备。其栅极氧化层经过强化处理，能够承受±20V的栅源电压，增强了抗瞬态干扰的能力。同时，器件内部未集成体二极管，因此在需要反向电流阻断的场景中表现出更好的可控性。总体而言，VC573A凭借其小型化、高性能和高兼容性的特点，成为现代低功耗电子系统中不可或缺的基础元件之一。

VC573A广泛应用于各类需要小型化、低功耗和高效开关控制的电子系统中。最常见的用途之一是作为负载开关，用于控制电源对特定模块的供电通断，例如在移动设备中控制显示屏、传感器或无线通信模块的上电与断电，以实现节能待机或按需唤醒功能。由于其低阈值电压特性，可以直接由微控制器的GPIO引脚驱动，无需额外的驱动电路，极大地简化了设计复杂度。
　　在LED驱动电路中，VC573A可用于实现简单的恒流调节或亮度控制，尤其是在低电流LED指示灯或背光系统中表现良好。结合限流电阻或恒流源电路，可以精准控制LED的点亮状态，防止过流损坏。此外，该器件也可用于构建模拟开关电路，替代机械继电器或传统双极型晶体管，在音频信号切换、传感器信号路由或多路复用系统中发挥重要作用。
　　在电源管理系统中，VC573A常用于电池供电设备的反向电流保护、电源多路选择或电压轨切换。例如，在主备电源切换电路中，可通过控制多个VC573A实现无缝电源切换，避免电压跌落或倒灌现象。同时，它还可用于构建简单的同步整流辅助电路，提高DC-DC转换器的整体效率。
　　其他应用场景还包括逻辑电平转换器，特别是在不同电压域之间传递数字信号时，利用VC573A的栅极隔离特性实现双向电平匹配。此外，因其高可靠性和小型封装，也被广泛用于便携式医疗设备、智能家居控制板、可穿戴设备和物联网终端等对空间和能耗极为敏感的产品中。

2N7002K
　　FMMT403
　　DMG2302U