HY57V161610ET-8 时间：2025/4/28 9:11:15 阅读：26

HY57V161610ET-8 是一款由 Hynix（海力士）生产的静态随机存取存储器（SRAM）。它采用高速 CMOS 技术制造，具有低功耗和高可靠性的特点。该芯片的存储容量为 16Mbit（2M x 8），适合用于需要快速数据访问和大容量存储的应用场景。
　　HY57V161610ET-8 支持同步时钟操作，能够与多种微处理器和数字信号处理器无缝集成。其封装形式为 TSOP-II（Thin Small Outline Package），引脚数为 48，适合表面贴装技术（SMT）工艺。

参数

存储容量：16Mbit
　　组织方式：2M x 8
　　核心电压：3.3V
　　接口类型：同步
　　工作频率：最高 133MHz
　　封装形式：TSOP-II
　　引脚数：48
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　数据访问时间：最小 7ns

特性

HY57V161610ET-8 具有以下主要特性：
　　1. 高速数据传输能力，支持高达 133MHz 的时钟频率。
　　2. 内置自动刷新功能，确保数据的稳定性和可靠性。
　　3. 超低功耗设计，在待机模式下电流消耗极低。
　　4. 支持突发模式（Burst Mode），可以连续读取多个数据单元。
　　5. 引脚兼容性强，易于与现有系统进行集成。
　　6. 提供工业级温度范围支持，适用于各种恶劣环境下的应用。

应用

HY57V161610ET-8 广泛应用于需要高速数据处理和大容量存储的场景，具体包括：
　　1. 网络设备，如路由器、交换机等。
　　2. 工业控制领域中的实时数据采集与处理系统。
　　3. 医疗设备，例如超声波成像仪、监护仪等。
　　4. 数字消费电子产品，如数字电视、高清摄像机等。
　　5. 嵌入式系统和高性能计算平台中的缓存存储解决方案。