时间：2025/7/14 15:26:30
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FDPF5N50NZF 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件专为高电压、高效率应用而设计，具有低导通电阻和出色的热稳定性，适用于各种电源管理与功率转换系统。
类型：N沟道
漏源电压（Vds）：500 V
连续漏极电流（Id @25°C）：5 A
导通电阻（Rds(on)）：3.0 Ω（最大）
栅极阈值电压（Vgs(th)）：2～4 V
功耗（Pd）：125 W
工作温度范围：-55°C～150°C
FDPF5N50NZF 的核心特性包括其优化的硅片技术和先进的封装设计，确保在高压环境下仍能维持稳定的性能表现。这款 MOSFET 具有较低的 Rds(on)，有助于降低导通损耗，提高整体系统的效率。
此外，FDPF5N50NZF 提供了良好的雪崩能量承受能力，能够在瞬态过压情况下保护器件免受损坏。这种坚固的设计使得它非常适合用于开关模式电源（SMPS）、DC/DC 转换器、电机控制以及照明驱动等应用场景。
由于其采用 TO-220 封装形式，具备优异的散热性能，能够有效延长元器件的使用寿命并提升系统的可靠性。同时，该器件符合 RoHS 环保标准，适合广泛使用于现代电子产品中。
FDPF5N50NZF 广泛应用于多种电力电子设备中，如 AC/DC 和 DC/DC 开关电源、适配器、电池充电器、LED 驱动电路、电机控制模块、工业自动化系统以及消费类电子产品的电源管理系统。
在 LED 照明领域，该器件可作为主开关或同步整流器使用，提供高效节能的解决方案；而在家电产品中，例如变频空调、洗衣机等，FDPF5N50NZF 可以用于电机驱动部分，实现更精确的转速控制与节能效果。
此外，由于其耐高压能力和较高的可靠性，FDPF5N50NZF 也常被用于工业领域的逆变器、不间断电源（UPS）及各类测试测量设备中。
FQP5N50C, IRF840, STP5NK50Z
