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S2(7.9)B-VUSS-1(LF)(SN) 发布时间 时间:2025/10/11 3:59:58 查看 阅读:8

S2(7.9)B-VUSS-1(LF)(SN) 是一种由 Vishay Semiconductor 生产的表面贴装肖特基势垒二极管阵列,主要用于信号整流、电压钳位和静电放电(ESD)保护等应用。该器件采用双二极管配置,封装形式为 SOT-23,具有小型化、高可靠性及优良的高频性能特点,适用于便携式电子设备、通信模块以及消费类电子产品中的电源管理和信号线路保护。该型号中的 (LF) 表示产品符合无铅(Lead-Free)环保标准,(SN) 可能代表卷带包装或特定的生产批次代码,确保其适用于自动化贴片生产工艺。该器件工作温度范围宽,适合在工业级环境条件下稳定运行。其低正向导通电压和快速反向恢复特性使其在高频开关电路中表现优异,是现代低功耗、高效率电源设计中的关键元件之一。

参数

类型:双串联肖特基二极管
  封装/外壳:SOT-23
  配置:双二极管(串联)
  最大重复反向电压(VRRM):7.9V
  最大平均正向整流电流(IO):200mA
  峰值正向浪涌电流(IFSM):500mA(8.3ms 单半波)
  最大正向电压(VF):450mV @ 10mA,650mV @ 100mA
  最大反向漏电流(IR):1μA @ 7.9V
  反向恢复时间(trr):典型值 4ns
  工作结温范围:-55°C 至 +125°C
  存储温度范围:-55°C 至 +150°C
  安装类型:表面贴装(SMD)
  引脚数:3
  无铅状态:符合 RoHS 指令,无铅(LF)
  湿度敏感等级(MSL):1 级(<=30°C/85%RH)

特性

S2(7.9)B-VUSS-1(LF)(SN) 具备优异的电气性能和可靠性,其核心优势在于采用了肖特基势垒技术,实现了极低的正向导通压降,通常在 10mA 电流下仅为 450mV 左右,显著降低了功率损耗,提高了系统能效。这一特性特别适用于电池供电设备和低电压电源轨的保护电路中。由于其结构为两个肖特基二极管串联配置,该器件可在双向信号线路中实现对正负向过压的钳位保护,常用于 USB 接口、音频线路或传感器信号线的 ESD 防护。
  该器件的反向恢复时间极短,典型值仅为 4ns,表现出卓越的高频响应能力,能够在高速开关应用中有效减少开关损耗并抑制电压振铃现象。此外,其最大反向漏电流在额定电压下不超过 1μA,保证了在待机或低功耗模式下的电路稳定性。SOT-23 封装不仅节省 PCB 空间,还具备良好的热传导性能,有助于在紧凑布局中维持器件的长期可靠性。
  工作温度范围覆盖 -55°C 至 +125°C,使其能够适应严苛的工业和汽车电子环境。器件符合 RoHS 标准,不含铅和其他有害物质,支持绿色环保制造流程。其 MSL 1 等级表明该产品对湿气不敏感,无需烘烤即可直接进行回流焊,简化了生产流程。整体设计兼顾高性能与可制造性,是现代高密度电子系统中理想的信号保护与整流解决方案。

应用

该器件广泛应用于各类需要低电压整流、信号保护和 ESD 抑制的电子系统中。常见应用场景包括便携式消费电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的 USB 数据线保护电路,用于防止热插拔或静电放电造成的接口损坏。在音频和视频信号路径中,S2(7.9)B-VUSS-1(LF)(SN) 可作为钳位二极管,限制瞬态电压幅度,避免后级放大器或编解码器受损。
  在传感器接口电路中,该器件可用于保护微弱信号线路免受外部干扰或电源波动影响,确保测量精度和系统稳定性。此外,在电源管理单元(PMU)或 DC-DC 转换器的反馈网络中,该双二极管可实现电压采样和箝位功能,提升电源响应速度与负载调整率。工业控制设备、通信模块(如 Wi-Fi、蓝牙模组)以及汽车电子中的信息娱乐系统也普遍采用此类小型化、高可靠性的肖特基二极管阵列,以满足空间受限且环境复杂的设计需求。

替代型号

S2(7.9)B-VUSM-1/L35T

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