类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：4.1A
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：18mΩ @ VGS=10V
　　导通阈值电压（VGS(th)）：1.1V ~ 2.5V
　　功耗（PD）：3W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：SO-8

FDD6796-A采用了先进的PowerTrench?技术，这种技术能够显著降低导通电阻，从而减少导通损耗并提高系统效率。该器件的Rds(on)值仅为18mΩ，在高电流条件下依然能保持较低的压降，有助于提升整体能效。
　　此外，FDD6796-A具备较高的栅极电压耐受能力，最大栅源电压可达±20V，这使其在各种开关应用中具有更高的稳定性和可靠性。器件的导通阈值电压范围为1.1V至2.5V，适合与标准逻辑电平驱动器配合使用，降低了驱动电路的设计复杂度。
　　该MOSFET采用SO-8封装形式，体积小巧且便于在高密度PCB布局中使用。该封装具有良好的热管理性能，可有效将热量传导至PCB，从而提高器件在高功率工作条件下的稳定性。
　　由于其高性能和紧凑的设计，FDD6796-A广泛用于便携式电子设备、笔记本电脑电源管理、DC-DC转换器、同步整流器等应用中，尤其适用于需要高效率和低功耗的场合。

FDD6796-A主要应用于电源管理系统，如DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关和电池管理系统等。它也适用于电机控制、电源分配系统以及各种需要高效功率开关的嵌入式系统设计。由于其低导通电阻和良好的热性能，该器件在高效率和高功率密度要求的应用中表现尤为出色。

FDMS7680, FDS6679, Si2302DS