S16MD02 时间：2025/8/28 9:52:52 阅读：15

S16MD02是一款由STMicroelectronics（意法半导体）推出的功率MOSFET器件，属于高性能的金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）系列。该器件主要用于电源管理和功率转换应用，具备低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性等优点。S16MD02采用先进的沟槽栅技术，优化了导通损耗和开关损耗之间的平衡，适用于各种高效率电源系统。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：16A
　　最大漏-源电压（VDS）：200V
　　最大栅-源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.085Ω（最大值，典型值）
　　功率耗散（PD）：100W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装形式：TO-220
　　技术：沟槽栅MOSFET
　　安装类型：通孔

特性

S16MD02具有多项先进的技术特性，使其在功率电子应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）确保在高电流条件下仍能保持较低的功率损耗，从而提高整体效率。其次，该器件采用了高性能的沟槽栅技术，优化了导通和开关性能，使其在高频开关应用中表现出色。此外，S16MD02具备良好的热管理能力，能够在高温环境下稳定工作，提高了系统的可靠性和寿命。
　　该MOSFET还具备较强的抗雪崩能力，能够在瞬态过压条件下提供一定的保护功能，减少器件损坏的风险。其封装形式为TO-220，便于散热并适用于常见的PCB安装方式，具备良好的通用性和兼容性。S16MD02的栅极驱动电压范围宽，支持多种控制电路设计，适用于多种功率转换和电源管理系统。

应用

S16MD02广泛应用于多个领域，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、负载开关、电池管理系统以及工业自动化设备。在电源管理方面，该器件适用于高效能的AC-DC电源适配器、LED驱动电源以及UPS（不间断电源）系统。由于其高可靠性和良好的热性能，S16MD02也常用于汽车电子系统，如车载充电器、电动工具和电池管理系统等场景。