2SK2003是一款N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高电流开关和功率控制应用。该器件采用TO-220封装,具有低导通电阻、高耐压能力和良好的热稳定性,适用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器以及各类功率电子设备。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(VDS):600V
栅源电压(VGS):±30V
连续漏极电流(ID):9A
脉冲漏极电流(IDM):36A
导通电阻(RDS(on)):0.85Ω(最大)
功耗(PD):75W
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装形式:TO-220
2SK2003具有多个优良的电气和热性能特性。其高耐压能力(600V)使其适用于高电压应用,如开关电源和马达驱动器。低导通电阻RDS(on)确保在高电流下仍能保持较低的功率损耗,提高系统效率。该器件的封装设计(TO-220)提供了良好的散热性能,确保在高功率条件下稳定运行。此外,2SK2003具备较强的短时过载能力,能够承受高达36A的脉冲电流,适用于需要瞬时大电流的应用场景。栅极驱动电压范围宽(±30V),提高了控制的灵活性,并增强了抗干扰能力。其工作温度范围广泛,从-55°C到+150°C,适用于各种严苛环境下的电子设备。
在可靠性方面,2SK2003具有较高的耐用性和长期稳定性,能够在高频开关条件下保持性能稳定。其结构设计优化了开关损耗,减少了电磁干扰(EMI),适用于对电磁兼容性要求较高的工业设备和消费电子产品。此外,该MOSFET具备良好的热保护性能,在高温环境下仍能维持正常工作,降低了系统故障率,提高了整体系统的可靠性。
2SK2003广泛应用于多种功率电子系统中。在电源管理领域,常用于开关电源(SMPS)、AC-DC转换器和DC-DC转换器,实现高效的能量转换。在电机控制方面,可用于无刷直流电机驱动、步进电机控制和电动工具等应用,提供高效率的功率开关。此外,该器件也适用于照明控制电路,如LED驱动电源和电子镇流器。工业自动化设备中的继电器替代、逆变器和不间断电源(UPS)系统中也常见其身影。由于其高可靠性和宽温度范围,2SK2003也可用于汽车电子系统,如车载充电器、起动机控制器和电动助力转向系统等。消费类电子产品如智能家电、电动自行车控制器和智能插座中也广泛应用该器件。
2SK2013, 2SK1318, 2SK2545, IRF840, IRF740