时间：2025/5/20 13:44:28
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CESD1006HC5VB 是一款基于硅技术的瞬态电压抑制 (TVS) 二极管，专为保护敏感电子设备免受静电放电 (ESD)、电气快速瞬变 (EFT) 和其他过压瞬变的影响而设计。该器件具有低电容特性，适用于高速数据线和高频信号线的保护。其紧凑的外形使其非常适合空间受限的应用场景。
额定电压：6V
峰值脉冲电流：38A
最大反向工作电压：5.8V
击穿电压：7.4V
箝位电压：12.4V
结电容：6pF
响应时间：1ps
漏电流：1μA（最大值，在25℃下）
CESD1006HC5VB 提供出色的 ESD 保护能力，能够承受 IEC61000-4-2 标准中定义的 ±20kV 接触放电和 ±30kV 空气放电。其低电容和快速响应时间确保对高速信号的影响最小化，同时提供高效的瞬态抑制性能。
该器件采用 SOD-323 封装形式，具备良好的热稳定性和可靠性，能够在 -55℃ 至 +150℃ 的温度范围内正常工作。
CESD1006HC5VB 符合 RoHS 标准，环保且无卤素，适合绿色应用需求。
这款 TVS 二极管广泛应用于消费类电子产品、通信设备、工业自动化系统等领域，具体包括但不限于 USB 接口保护、HDMI 数据线保护、以太网端口保护、射频前端保护以及音频/视频信号线路的过压防护。其低电容特性使其成为高速接口的理想选择。
PESD1006BLC5, SMAJ6.0A, SMBJ6.0CA
