类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压 Vds：60V
　　最大栅源电压 Vgs：±20V
　　最大连续漏极电流 Id：10A
　　最大功率耗散 Pd：200W
　　导通电阻 Rds(on)：40mΩ（典型值）
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SSM

S-SM560AF MOSFET 具有出色的电气性能和热稳定性。其主要特性之一是低导通电阻 Rds(on)，这使得在高电流条件下能够显著减少功率损耗，提高系统效率。此外，该器件支持高达 10A 的连续漏极电流，能够满足高功率应用的需求。
　　另一个关键特性是其高达 60V 的漏源电压额定值，使其适用于中高电压系统，如电源管理和电机驱动电路。S-SM560AF 还具有良好的栅极电荷特性，有助于减少开关损耗，提高开关速度，从而适用于高频应用。
　　在封装方面，S-SM560AF 采用 SSM 封装，体积小巧，有助于节省 PCB 空间，同时具备良好的散热性能，以确保在高负载条件下仍能稳定运行。此外，该器件的栅源电压容限为 ±20V，使其在控制电路中具有较高的容错能力，增强了系统的可靠性。
　　综合来看，S-SM560AF 在性能、封装和可靠性方面都表现出色，是一款适用于多种工业和消费类电子应用的高性能功率 MOSFET。

S-SM560AF 广泛应用于多种电力电子系统中，特别是在需要高电流和高效率的场合。例如，在 DC-DC 转换器中，该 MOSFET 可作为主开关器件，用于提升转换效率并减少发热。在电机控制电路中，S-SM560AF 可用于驱动小型电机或风扇，提供稳定可靠的功率输出。此外，该器件也常用于电池管理系统、负载开关和电源管理模块中，以实现高效的电能分配和控制。由于其紧凑的 SSM 封装，S-SM560AF 特别适合空间受限的设计，如便携式电子设备、无人机和智能家电等应用领域。

SiSS108DN, TPC8103, AO4406A