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SKT12F10DR 发布时间 时间:2025/8/22 22:54:04 查看 阅读:21

SKT12F10DR是一款由STMicroelectronics(意法半导体)生产的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)器件,采用N沟道结构,适用于高频率和高效能的功率转换应用。该器件设计用于承受高电流和高压,具备较低的导通电阻(RDS(on)),从而减少导通损耗并提高能效。SKT12F10DR采用DPAK(TO-252)封装形式,适用于表面贴装技术(SMT),便于在紧凑型电路设计中使用。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(VDS):100V
  连续漏极电流(ID):12A(在25°C)
  RDS(on)(最大值):0.32Ω(在VGS=10V)
  栅极阈值电压(VGS(th)):2V至4V
  功耗(Ptot):50W
  封装类型:DPAK(TO-252)

特性

SKT12F10DR具有低导通电阻,有助于减少功率损耗,提高系统效率。该MOSFET能够在高温环境下稳定运行,并具备良好的热稳定性,适用于多种功率电子设备。此外,其快速开关特性使其适合用于DC-DC转换器、电机控制和电源管理系统等高频应用。
  该器件还具备高耐压能力和较高的电流承载能力,适合在恶劣的电气环境下运行。DPAK封装设计提供了良好的散热性能,并支持表面贴装工艺,提高了PCB组装的灵活性和可靠性。此外,该MOSFET的栅极驱动要求较低,便于与各种驱动电路兼容,降低了整体系统设计的复杂性。

应用

SKT12F10DR广泛应用于各类功率电子设备中,如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机驱动电路、电池管理系统、照明控制系统以及工业自动化设备。此外,它也可用于汽车电子系统,如车载充电器、电动助力转向系统(EPS)等需要高可靠性和高效率的场景。

替代型号

IRFZ44N, FDPF12N10, FQP12N10L

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