类型：齐纳二极管
　　封装形式：SOT-23
　　最大耗散功率：300 mW
　　齐纳电压（Vz）：5.1 V
　　测试电流（Iz）：5 mA
　　最大齐纳电流（Izmax）：70 mA
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　最大反向漏电流（Ir）：100 nA（在Vz - 1V时）
　　齐纳阻抗（Zzt）：90 Ω（典型值，5 mA时）

S-LM3Z51VT1G齐纳二极管在设计上采用了先进的硅半导体技术，具有优异的电压稳定性和温度稳定性。其典型的齐纳电压为5.1V，在5mA测试电流下表现出良好的动态阻抗特性，动态阻抗（Zzt）典型值为90Ω，这使得它在电压调节应用中能够保持较低的输出噪声和较高的响应速度。此外，该器件的最大耗散功率为300mW，允许在较高电流下工作，适用范围广泛。
　　S-LM3Z51VT1G的SOT-23封装形式使其非常适合用于表面贴装技术（SMT），不仅节省空间，而且便于自动化生产。其工作温度范围从-55°C到+150°C，确保在极端环境条件下也能稳定工作。该器件的反向漏电流非常低，在Vz - 1V时最大为100nA，从而减少了不必要的能量损耗，提高了系统的整体效率。
　　此外，S-LM3Z51VT1G的封装材料符合RoHS环保标准，适合用于对环保要求较高的电子产品中。由于其出色的电气性能和高可靠性，该器件广泛应用于电源管理、电压参考、信号调节、电池管理系统以及各种模拟和数字电路中的电压调节任务。

S-LM3Z51VT1G齐纳二极管广泛应用于各种电子系统中，包括便携式设备（如智能手机、平板电脑和可穿戴设备）、电源管理模块、电压参考电路、模拟-数字转换器（ADC）和数字-模拟转换器（DAC）的参考电压源、传感器信号调节电路以及工业控制系统中的电压稳定电路。此外，它也常用于测试与测量设备、汽车电子系统以及消费类电子产品的电源部分。

LM3Z51V, BZV55-C5V1, MMSZ5231B