类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：40V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：100A（在Tc=25°C时）
　　导通电阻（RDS(on)）：最大4.5mΩ（典型值4.0mΩ）
　　封装类型：PG-HSOF-8（LFPAK56）
　　工作温度范围：-55°C至175°C

IQDH45N04LM6SC具备低导通电阻（RDS(on)）特性，可显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用先进的沟槽技术，优化了导通和开关性能的平衡，确保在高频应用中保持高效运行。
　　此外，IQDH45N04LM6SC具有优异的热管理和高电流承载能力，使其适用于高功率密度应用。其PG-HSOF-8（LFPAK56）封装设计支持双面散热，进一步提升热性能。
　　该MOSFET还具备高雪崩能量耐受能力，增强了在苛刻工作条件下的可靠性和耐用性。内置的栅极保护二极管有助于防止静电放电（ESD）造成的损坏，提高了器件的抗干扰能力。
　　由于其卓越的电气和机械性能，IQDH45N04LM6SC特别适合用于汽车电子、工业自动化和高性能计算设备中的电源管理模块。

IQDH45N04LM6SC广泛应用于汽车电子系统，如电动助力转向（EPS）、电池管理系统（BMS）和车载充电器（OBC）。在工业领域，该器件常用于伺服电机控制、DC-DC转换器、不间断电源（UPS）以及负载开关电路。
　　此外，IQDH45N04LM6SC还可用于高性能计算设备的电源管理系统，包括服务器电源、图形处理器（GPU）供电模块以及高性能存储设备的电源管理电路。
　　由于其高效率和高可靠性的特点，该MOSFET也适用于新能源领域，如太阳能逆变器、储能系统和智能电网设备。

IPD45N04LG
　　STM45N04LM2