类型：单向ESD保护二极管
　　工作电压：3.3V
　　最大反向关断电压：3.3V
　　最大钳位电压：8.5V（Ipp=1.7A）
　　峰值脉冲电流（Ipp）：1.7A
　　电容（@1MHz）：约15pF
　　封装形式：SOD-523
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃

S-LESD5Z3.3T1G的主要特性之一是其优异的ESD保护能力。该器件能够在极短时间内响应高达±30kV的静电放电，有效钳位电压并保护后级电路免受损坏。此外，其低电容设计（约15pF）确保了在高频信号路径中不会引入显著的信号衰减或失真，因此非常适合用于USB、HDMI等高速接口的保护电路。
　　另一个显著特点是其紧凑的SOD-523封装形式，这使得S-LESD5Z3.3T1G在PCB布局中占用空间小，适用于高密度电子设计。同时，该器件具有优良的热稳定性和耐久性，能够在恶劣的环境条件下保持长期稳定运行。
　　此外，S-LESD5Z3.3T1G具备良好的反向漏电流控制能力，在额定工作电压下漏电流极低，通常小于1μA，从而降低了功耗并提高了系统的整体能效。这种低漏电流特性对于电池供电设备尤为重要。

S-LESD5Z3.3T1G广泛应用于需要静电放电保护的各类电子设备中，尤其是在便携式电子产品中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。其低电容和快速响应特性使其非常适合用于保护USB、HDMI、以太网和天线接口等高速数据线路。
　　此外，该器件也常用于工业控制系统、通信模块和汽车电子设备中，用于保护敏感的IC和接口免受静电和瞬态电压的损害。在汽车电子应用中，S-LESD5Z3.3T1G能够有效应对车载环境中可能出现的高静电放电和电磁干扰问题，提高系统的可靠性和安全性。
　　由于其优异的电气性能和紧凑的封装形式，S-LESD5Z3.3T1G也被广泛用于消费类电子产品的设计中，如数码相机、MP3播放器和无线耳机等设备。

SMBJ3.3CA, PESD3V3S1BA, ESDA3V3S1BA