时间：2025/5/7 9:46:32
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PTZTE2515B是一款高效能的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等场景。该器件采用了先进的制造工艺，具备较低的导通电阻和较高的开关速度，从而能够显著提高系统的效率并减少发热。
PTZTE2515B属于N沟道增强型MOSFET，适合于中高电压应用场合。其出色的电气性能和可靠性使其成为工业控制、消费电子及汽车电子领域中的理想选择。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：29A
导通电阻：4.8mΩ
栅极电荷：35nC
开关时间：ton=12ns, toff=17ns
工作结温范围：-55℃至+150℃
1. 极低的导通电阻，可有效降低功耗并提升效率。
2. 高速开关能力，支持高频应用，有助于减小系统尺寸。
3. 良好的热稳定性，在高温环境下仍能保持稳定的性能。
4. 内置ESD保护功能，增强了器件的抗静电能力。
5. 符合RoHS标准，环保且易于焊接和集成到各种电路设计中。
6. 封装形式为TO-220，便于散热处理。
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动与控制
4. 汽车电子中的负载切换
5. 工业自动化设备中的功率管理
6. LED照明驱动电路
7. 充电器和适配器设计
IRFZ44N
STP30NF06
FDP5500
IXTH28N50P
