LBZX84B11LT1G是一款由ON Semiconductor生产的低功耗齐纳二极管(Zener Diode),主要用于电压参考和稳压应用。该器件采用SOT-23封装,适合用于便携式设备和高密度电路设计中。齐纳二极管能够在反向击穿区域工作,提供稳定的参考电压,广泛应用于电源管理、信号调节和电压监测等场景。
类型:齐纳二极管
功率耗散:300 mW
齐纳电压(Vz):1.1 V
齐纳电流(Iz):200 μA
最大齐纳电流(Izmax):100 mA
动态电阻(Zzt):400 Ω
工作温度范围:-55°C 至 150°C
封装类型:SOT-23
LBZX84B11LT1G齐纳二极管具有出色的电压稳定性和低功耗特性,适用于需要精密电压参考的电路。其低齐纳电压(1.1V)使其在低电压系统中具有广泛应用,例如电池供电设备和低压稳压电路。该器件的动态电阻较低,有助于在负载变化时保持稳定的输出电压。此外,LBZX84B11LT1G的工作温度范围较宽,能够在恶劣环境下可靠工作,适用于工业和汽车应用。该器件的SOT-23封装形式体积小巧,适合高密度PCB设计。
在电气特性方面,LBZX84B11LT1G具有良好的温度系数,确保在不同温度条件下仍能提供稳定的电压参考。其最大齐纳电流可达100 mA,能够满足大多数中低功率应用的需求。该二极管的反向漏电流较低,在非击穿区域时对电路的影响较小。同时,其快速响应特性使得在瞬态负载变化时仍能保持较好的稳压性能。
LBZX84B11LT1G主要用于电压参考、稳压电路、电源管理、电池充电器、电压监测器以及信号调节电路。它在便携式电子设备、消费类电子产品、汽车电子系统和工业控制系统中均有广泛应用。
LMVZ11B1.1, BZX84B-1V1