时间：2025/9/14 15:39:08
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BSP60,115 是由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于中高功率应用。该器件采用常见的 TO-220 封装，具备良好的散热性能和较高的可靠性。BSP60,115 主要用于电源管理、电机控制、DC-DC 转换器以及负载开关等应用场景。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（VDS）：60V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：30A（在 Tc=25°C）
功耗（Ptot）：94W
导通电阻（RDS(on)）：约 22mΩ（典型值，取决于栅极电压）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-220
BSP60,115 具有优异的导通性能和较低的导通电阻（RDS(on)），能够有效减少功率损耗，提高系统效率。其高电流承载能力和良好的热稳定性使其适用于高功率密度的设计。此外，该器件具备较高的抗雪崩能力和良好的短路耐受性，确保在恶劣工作条件下的稳定性和可靠性。BSP60,115 还具有快速开关特性，适用于高频开关应用，如 DC-DC 转换器和同步整流器。
该 MOSFET 广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动电路、电池管理系统以及工业自动化设备中。其高效率和高可靠性也使其适用于汽车电子系统，如车载充电器和电动助力转向系统。
IRFZ44N, STP30NF10, FDP30N10, BSP60
