时间：2025/8/13 9:51:59
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S-LDP3415EDT2AG 是一款由 Rohm（罗姆）公司推出的低功耗、高性能的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于便携式设备、电源管理和负载开关等场景。该器件采用小型表面贴装封装（如DFN1010MD-6封装），适用于高密度电路设计，具备优异的热稳定性和电气性能。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（VDS）：20V
栅源电压（VGS）：±12V
连续漏极电流（ID）：4.1A
导通电阻（RDS(on)）：15mΩ（典型值，VGS=4.5V）
功率耗散（PD）：1.0W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
S-LDP3415EDT2AG MOSFET采用了先进的沟槽栅极工艺，确保了低导通电阻和高开关速度，从而降低了导通损耗和开关损耗。该器件的栅极氧化层经过优化设计，提高了抗静电能力和可靠性，适用于各种高效率电源管理系统。其低导通电阻使其在大电流应用中仍能保持较低的温升，有助于提高系统稳定性和寿命。
此外，S-LDP3415EDT2AG具有良好的热稳定性，能够在高电流负载下保持良好的导通性能，并具备较高的耐用性。该MOSFET适用于电池供电设备、DC-DC转换器、负载开关、电机控制以及各类便携式电子设备中的功率控制模块。
S-LDP3415EDT2AG MOSFET主要应用于以下领域：便携式电子产品（如智能手机、平板电脑和可穿戴设备）、电源管理单元、DC-DC降压/升压转换器、LED照明驱动电路、马达控制模块、负载开关电路以及各类需要高效功率控制的小型电子设备中。
Si2302DS, 2N7002K, BSS138
