类型：DDR SDRAM
　　密度：256Mbit（32M x 8）
　　工作电压：2.5V ± 0.2V
　　数据速率：133MHz（DDR266）
　　组织结构：4 Banks x 8,192 Rows x 512 Columns
　　刷新周期：64ms / 8,192 rows
　　访问时间：最大10ns
　　CAS等待时序（CL）：2或3
　　封装类型：TSOP-II，54引脚
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C
　　输入/输出电平：LVTTL兼容

K4S513233F-EL1L具备多项关键特性，使其在同类DDR SDRAM产品中表现出色。首先，其256Mbit的存储容量以32M x 8的组织方式提供，适合需要字节级数据访问的应用场景，尤其在通信协议处理和外设接口中具有优势。该芯片采用双倍数据速率（DDR）技术，在时钟的上升沿和下降沿均传输数据，从而在133MHz的时钟频率下实现等效266MT/s的数据传输率，显著提升了系统带宽。其内部架构包含四个独立可寻址的存储体（Bank），支持交错操作，有效减少了等待时间并提高了连续读写效率。
　　该器件的工作电压为2.5V，相较于早期的3.3V SDRAM，功耗明显降低，有助于延长便携式设备的电池寿命并减少散热需求。其CMOS工艺结合精密的时序控制机制，确保了在高速运行下的信号完整性和稳定性。此外，K4S513233F-EL1L支持多种省电模式，包括自刷新（Self-refresh）和电源关闭（Power-down）模式，可在系统空闲时大幅降低功耗。自刷新模式允许SDRAM在保持数据不丢失的同时由内部电路自主完成刷新操作，特别适用于主控处理器进入休眠状态的应用场景。
　　该芯片兼容标准的LVTTL逻辑电平，能够无缝对接多种控制器和处理器。其TSOP-II 54引脚封装具有较小的体积和良好的热性能，适用于高密度PCB布局。器件支持CAS延迟设置为2或3，可根据系统时钟精度和稳定性进行配置，兼顾性能与可靠性。同时，它具备完整的刷新管理功能，支持自动刷新（Auto-refresh）和自刷新命令，确保所有存储单元在规定时间内被定期刷新，防止数据丢失。K4S513233F-EL1L还通过了严格的工业级温度认证，可在-40°C至+85°C的宽温范围内稳定工作，适应恶劣的工业和户外环境。

K4S513233F-EL1L主要用于对内存性能有一定要求但又不需要DDR2或更高版本的嵌入式系统中。典型应用包括网络路由器、交换机、防火墙等通信设备，这些设备需要快速缓存数据包并进行高速转发处理，因此依赖于低延迟、高带宽的内存支持。此外，它也被广泛用于工业自动化控制系统，如PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）终端和运动控制卡，用于存储实时采集的数据、程序代码和中间运算结果。在数字视频监控领域，该芯片可用于DVR（数字录像机）或NVR（网络录像机）的前端图像缓存，协助完成视频流的临时存储与调度。消费类电子产品如高端打印机、多功能一体机和智能家电中也可见其身影，用于提升系统的响应速度和多任务处理能力。由于其具备工业级温度适应能力，K4S513233F-EL1L还可应用于车载电子设备、医疗仪器和户外信息终端等对可靠性要求较高的场合。总之，凡是需要稳定、高效且成本适中的DDR内存解决方案的场景，都是该芯片的理想应用领域。

K4S513233E-UC75
　　K4S513232D-UC75
　　AS4C32M8D26I-7TCN2