时间：2025/12/26 10:52:12
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ZXTC6717MCTA是一款由Diodes Incorporated生产的P沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），专为高效率电源管理应用设计。该器件采用先进的TrenchFET技术，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种便携式设备和电源转换系统。其小型化的封装形式使其在空间受限的应用中表现出色，同时保持良好的热性能和电气性能。这款MOSFET广泛用于负载开关、电池供电设备以及DC-DC转换器等电路中，提供可靠的功率控制解决方案。
类型：P沟道
极性：增强型
漏源电压（VDS）：-20V
栅源电压（VGS）：±8V
连续漏极电流（ID）：-4.3A
脉冲漏极电流（IDM）：-12A
导通电阻RDS(on)：45mΩ @ VGS = -4.5V
导通电阻RDS(on)：60mΩ @ VGS = -2.5V
阈值电压（VGS(th)）：-1.0V ~ -2.0V
输入电容（Ciss）：400pF @ VDS = 10V
反向恢复时间（trr）：未指定
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
存储温度范围：-55°C ~ +150°C
封装/包装：SOT-363（SC-88A）
安装类型：表面贴装
ZXTC6717MCTA采用了先进的TrenchFET制造工艺，这种技术通过优化晶圆内部的沟道结构，显著降低了器件的导通电阻RDS(on)，从而减少功率损耗并提升整体能效。在VGS=-4.5V时，其典型RDS(on)仅为45mΩ，在同类P沟道MOSFET中具备出色的导通性能，适合需要低功耗运行的应用场景。由于是P沟道结构，该器件在栅极为低电平时导通，常用于高边开关配置，特别适用于电池供电系统的电源通断控制。
该MOSFET的小型SOT-363六引脚封装不仅节省PCB空间，还支持高密度布局，非常适合智能手机、平板电脑和其他便携式电子产品中的紧凑设计需求。尽管体积小巧，但其封装仍具备一定的散热能力，能够在有限的空间内实现稳定的工作表现。此外，器件具有良好的栅极氧化层可靠性，可承受±8V的栅源电压，增强了对瞬态电压波动的耐受性，提高了系统稳定性。
ZXTC6717MCTA的工作温度范围宽达-55°C至+150°C，确保其在极端环境条件下仍能可靠运行，满足工业级和消费类电子产品的严苛要求。其较低的输入电容（Ciss=400pF）有助于减少驱动电路的负载，加快开关响应速度，降低开关损耗，尤其适合高频开关应用。虽然该器件主要用于直流或低频开关操作，但在适当的驱动条件下也能胜任一定程度的PWM调制任务。
总体而言，ZXTC6717MCTA是一款集高性能、小尺寸与高可靠性于一体的P沟道MOSFET，适用于各种对效率和空间敏感的电源管理场合。其优异的电气特性和稳定的制造工艺使其成为众多设计师在构建高效能电源路径时的首选器件之一。
广泛应用于便携式消费电子产品如智能手机、蓝牙耳机、移动电源中的电源开关与负载切换；用于锂电池保护电路中的充放电通路控制；作为DC-DC转换器中的同步整流或高边开关元件；适用于各类低电压、小功率的电源管理系统，例如USB供电设备、IoT终端节点、可穿戴设备等；也可用作通用逻辑电平转换或信号通断控制的开关元件，在嵌入式系统和微控制器外围电路中发挥重要作用。
DMG2302UK-7,DMP2008UFG,SI2302DS
