KIA7042AF-RTF是一款由KEC Corporation(韩国电子部件公司)制造的N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件广泛用于电源管理和开关应用中,因其具备低导通电阻(Rds(on))、高耐压和快速开关特性,非常适合用于DC-DC转换器、负载开关、电机控制和电源管理系统等领域。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):30V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):12A
导通电阻(Rds(on)):22mΩ @ Vgs=10V
功率耗散(Pd):40W
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
封装形式:TO-252(DPAK)
晶体管配置:单MOSFET
KIA7042AF-RTF具备多项高性能特性,使其适用于多种功率应用。首先,其低导通电阻(Rds(on))降低了导通损耗,从而提高了系统的整体效率。其次,该MOSFET的漏源电压额定值为30V,能够在中等电压范围内稳定运行,适用于多种电源转换电路。此外,其最大连续漏极电流可达12A,能够处理较高的负载电流,适用于电机驱动和大功率负载切换应用。
该器件采用了先进的沟槽技术,提供了卓越的开关性能和热稳定性。其快速开关能力有助于减少开关损耗,从而提升系统的动态响应。TO-252(DPAK)封装形式具有良好的散热性能,适合高功率密度设计,并且易于安装在PCB上,提高了系统的可靠性。
另一个显著特点是其高可靠性,能够在-55°C至+150°C的宽温度范围内稳定运行,适用于工业和汽车等严苛环境下的应用。此外,其栅极驱动电压范围较宽(±20V),兼容多种驱动电路设计,增加了使用的灵活性。
KIA7042AF-RTF广泛应用于多个电子系统中,主要包括:DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统、电机控制电路、电源管理模块、负载开关、LED驱动器、电源适配器以及工业自动化设备等。在汽车电子系统中,它也可用于车载充电器、电动助力转向系统和车载娱乐系统的电源控制部分。由于其高效率和高可靠性的特点,该MOSFET也常用于需要长时间运行的嵌入式系统和物联网设备中。
Si4406DY-T1-GE3, FDS4435B, AO4406, IRLML6402TRPBF