类型：N 沟道 MOSFET
　　漏极-源极电压（Vds）：100V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±20V
　　漏极连续电流（Id）：17A（@25℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：0.085Ω（@Vgs=10V）
　　功耗（Pd）：2.5W
　　工作温度范围：-55℃～150℃
　　封装形式：TO-252（DPAK）

FQU9N10 具备一系列优秀的电气和物理特性，使其在功率电子应用中表现出色。首先，其低导通电阻 Rds(on) 仅为 0.085Ω，在 Vgs=10V 时能够显著降低导通损耗，提高整体系统的能效。这对于高效率电源设计至关重要。
　　其次，FQU9N10 支持高达 17A 的连续漏极电流，这使得它能够胜任中高功率的应用场景，例如同步整流、DC-DC 转换器以及马达控制电路。此外，其最大漏极-源极电压为 100V，适用于多种中压功率转换场合。
　　该 MOSFET 的栅极驱动电压范围为 ±20V，具备良好的栅极稳定性，同时在 Vgs=10V 时即可实现完全导通，适合与常见的 PWM 控制器或驱动 IC 配合使用。此外，FQU9N10 在高频工作下仍能保持良好的开关性能，减少了开关损耗，有助于提高电源系统的整体效率。
　　封装方面，FQU9N10 采用 TO-252（DPAK）表面贴装封装，具有良好的热性能和机械稳定性，适用于自动化装配工艺，便于在 PCB 上进行安装和散热管理。该封装也支持良好的热传导，有助于在高功率运行时保持稳定的温度表现。
　　此外，FQU9N10 具备宽泛的工作温度范围（-55℃～150℃），适用于工业级和汽车电子等恶劣环境下的应用。其内部结构优化设计，提高了器件的抗静电能力和可靠性，适用于对稳定性和寿命要求较高的系统。

FQU9N10 广泛应用于多个领域的功率电子系统中。在电源管理方面，它常用于同步整流、DC-DC 降压/升压转换器、负载开关以及电池管理系统中，以实现高效率的能量转换。其低导通电阻和高电流能力使其在便携式设备、笔记本电脑电源适配器、服务器电源系统中具有良好的表现。
　　在工业自动化和控制系统中，FQU9N10 可用于马达驱动、继电器控制以及工业电源模块。其高频特性使其适合用于高频开关电源和逆变器设计，有助于减小电感器和电容器的体积，提高系统的功率密度。
　　此外，FQU9N10 也常用于汽车电子系统，例如车载充电器、电动工具、车载逆变器以及车身控制模块。由于其具备宽泛的温度适应范围和良好的可靠性，适合在车载环境中长期稳定运行。
　　其他应用包括太阳能逆变器、LED 照明驱动电源、UPS（不间断电源）系统以及各类工业电源模块等。

FQP9N10L, FDS9435A, IRFZ44N, STP16NF10