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S-LBZX84C12LT1G 发布时间 时间:2025/8/13 1:32:01 查看 阅读:6

S-LBZX84C12LT1G 是由安森美半导体(onsemi)生产的一款低功耗表面贴装齐纳二极管,主要用于电压参考和稳压应用。该器件采用SOD-523封装,具有较高的稳定性和可靠性,适用于便携式设备、电源管理系统以及精密模拟电路。

参数

齐纳电压:12.0 V
  齐纳电流:5.0 mA
  最大耗散功率:300 mW
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  存储温度范围:-55°C 至 150°C
  封装类型:SOD-523
  引脚数:2

特性

S-LBZX84C12LT1G 齐纳二极管具有良好的温度稳定性和低动态阻抗,能够在广泛的温度范围内保持稳定的输出电压。其低功耗特性使其非常适合用于电池供电设备和低功耗电路中。该器件的封装形式为SOD-523,体积小巧,便于在高密度PCB布局中使用。此外,该齐纳二极管具有良好的长期稳定性,能够在长时间使用过程中保持其电气特性不变。该器件的制造工艺符合AEC-Q101汽车级认证标准,适用于对可靠性要求较高的汽车电子系统。
  S-LBZX84C12LT1G 的最大额定功耗为300mW,推荐工作电流为5mA,在此条件下可提供最佳的电压稳定性能。其反向漏电流在额定电压下非常低,有助于减少电路中的静态功耗。该器件的响应时间较快,能够在电压波动时迅速调整,提供稳定的参考电压。由于其良好的电气特性和高可靠性,S-LBZX84C12LT1G 常被用于模拟电路、电源管理模块、电压检测电路以及各种需要精确电压参考的应用中。

应用

该器件广泛应用于便携式电子产品、电池管理系统、电源稳压电路、汽车电子系统、模拟信号处理、电压参考源、嵌入式控制系统以及精密测量仪器等场景。

替代型号

BZX84C12LT1G, MMSZ4680T1G, SZ1SMA4320T5G

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