类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：200V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　连续漏极电流（ID）：4A
　　导通电阻（RDS(on)）：约 0.55Ω（典型值）
　　功耗（PD）：60W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220

3N207 的核心特性之一是其高达 200V 的漏源电压（VDS）能力，使其适用于高压开关应用。其 N 沟道结构提供了良好的导电性能和快速开关响应，适用于高频操作。此外，该器件的导通电阻（RDS(on)）较低，通常在 0.55Ω 左右，有助于降低功率损耗并提高效率。
　　3N207 采用 TO-220 封装，具备良好的散热性能，适合在中高功率环境下工作。该封装形式也便于安装在散热片上，进一步提高器件的热稳定性。此外，该器件的栅源电压为 ±30V，提供了良好的栅极控制能力，适用于多种驱动电路。
　　3N207 的最大连续漏极电流为 4A，能够满足大多数中等功率应用的需求。其功耗额定值为 60W，确保在高负载条件下仍能稳定运行。工作温度范围宽广，从 -55°C 到 +150°C，使其适用于多种工业和消费类电子设备。

3N207 通常用于电源开关电路、直流-直流转换器（DC-DC Converters）、电机驱动电路、放大器电路以及工业控制设备。其高耐压特性使其适用于高压电源管理应用，如开关电源（SMPS）和电池管理系统。此外，该器件也常用于照明控制电路和负载开关电路中。
　　在电源管理领域，3N207 作为高效的开关元件，能够实现低功耗和高效率的能量转换。在电机驱动应用中，它可用于控制电机的启停和速度调节。在放大器电路中，3N207 可用于功率放大级，提供较高的输出功率。此外，该器件还可用于电池充电器和逆变器系统中，作为关键的开关元件。
　　由于其良好的热稳定性和可靠性，3N207 也广泛应用于工业自动化设备、测试仪器和消费类电子产品中。无论是在低频还是高频开关应用中，该器件都能提供稳定的性能。

IRF830, 2N6756, IRF740