类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：1200V
　　连续漏极电流(Id)：10A（在25°C）
　　导通电阻(Rds(on))：最大值1.2Ω
　　栅极阈值电压(Vgs(th))：3V至5V
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-247
　　功率耗散(Pd)：150W

S-G20120CTFW的核心特性之一是其高击穿电压能力，达到1200V，使其适用于高压功率转换应用。该器件采用了优化的沟槽结构，有效降低了Rds(on)，从而减少了导通损耗，提高了能效。此外，S-G20120CTFW具备出色的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，适用于高功率密度的设计。其TO-247封装提供了良好的散热性能，确保在高电流条件下仍能保持较低的温度上升。S-G20120CTFW的栅极驱动电压范围较宽，适用于多种驱动器IC，提高了电路设计的灵活性。该器件还具备良好的短路耐受能力，增强了系统的可靠性。S-G20120CTFW的开关特性优异，具有较低的开关损耗，适用于高频开关应用，如PFC（功率因数校正）电路和LLC谐振转换器。此外，其低寄生电容设计有助于减少高频下的开关损耗，提高系统效率。S-G20120CTFW符合RoHS环保标准，适合现代绿色电子产品的需求。

S-G20120CTFW广泛应用于各种高压功率电子系统中，包括工业电源、UPS（不间断电源）、太阳能逆变器、电机驱动器、高频DC-DC转换器、PFC电路以及各类高效率电源模块。由于其高耐压和低导通电阻特性，S-G20120CTFW非常适合用于功率因数校正电路中的主开关元件。在太阳能逆变器中，它可以用于DC-AC转换阶段，实现高效的能量转换。此外，S-G20120CTFW也可用于电机控制和负载开关应用，提供稳定的高电流切换能力。在工业自动化和智能电网系统中，该MOSFET可用于高压电源管理模块，确保系统在高负载条件下的稳定运行。

SiHP120N65ED, STW12NK90Z