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BZV49-C3V3,115 发布时间 时间:2025/9/14 5:55:02 查看 阅读:4

BZV49-C3V3,115 是一款由Nexperia(原Philips Semiconductors)制造的表面贴装稳压二极管(齐纳二极管),设计用于低功率稳压应用。该器件采用SOD123FL封装,具有低动态阻抗和良好的温度稳定性,适用于在便携式电子设备、电源管理和电压参考电路中提供稳定的参考电压。BZV49-C3V3,115的标称齐纳电压为3.3V,适用于需要低电压稳压的数字和模拟电路。

参数

类型:齐纳二极管(Zener Diode)
  封装类型:SOD123FL
  齐纳电压(Vz):3.3 V
  最大齐纳电流(Izmax):200 mA
  最大耗散功率(Ptot):300 mW
  动态阻抗(Zzt):10 Ω(典型值)
  工作温度范围:-65 °C 至 +150 °C
  存储温度范围:-65 °C 至 +150 °C
  反向漏电流(Ir):100 nA(最大值,在Vz = 1V)
  测试电流(Izt):5 mA

特性

BZV49-C3V3,115 是一款高性能齐纳二极管,具有多项技术特性,适用于多种电子应用。首先,其采用SOD123FL小型表面贴装封装,使得器件适合在高密度PCB布局中使用,同时支持自动化装配工艺,提高了生产效率和可靠性。该器件的标称齐纳电压为3.3V,适用于现代低电压电子系统,如微控制器电源管理、接口保护和电压参考电路。该器件在5mA测试电流下的动态阻抗仅为10Ω,这表示其在负载变化时仍能维持较稳定的输出电压,从而提高了系统的稳定性。此外,BZV49-C3V3,115的最大齐纳电流为200mA,最大功耗为300mW,使其能够在中等功率应用中提供可靠的稳压性能,同时保持较低的温升。该器件的反向漏电流在1V电压下最大为100nA,保证了在低电压工作时的低功耗特性。BZV49-C3V3,115具有宽泛的工作温度范围(-65°C至+150°C),可在极端环境条件下稳定运行,适用于工业级和汽车级电子设备。此外,该器件符合RoHS标准,具有无铅环保特性,适用于绿色电子制造。

应用

BZV49-C3V3,115 齐纳二极管广泛应用于多种电子系统的电压稳压和参考电压生成。在便携式电子产品中,例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备,该器件用于为低电压微处理器、传感器和无线模块提供稳定的3.3V参考电压。在电源管理系统中,BZV49-C3V3,115可用于稳压DC-DC转换器的反馈回路,确保输出电压的稳定性。在模拟电路中,该齐纳二极管可作为高精度电压基准源,用于ADC/DAC校准、运算放大器偏置电路等关键应用。此外,在通信设备中,该器件可用于电压参考和保护电路,以确保信号链的稳定性。由于其小型SOD123FL封装和良好的温度稳定性,BZV49-C3V3,115也常用于汽车电子系统,如车载娱乐系统、车身控制模块和车载传感器网络。该器件还可用于过压保护电路,作为电压箝位元件,防止瞬态电压对后续电路造成损害。

替代型号

BZV49-C3V3,115 可以使用以下替代型号:BZV49-C3V3, BZV49-C3V3-04, BZV49-C3V3-115, BZV49-C3V3-7-F, BZX84-C3V3

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BZV49-C3V3,115参数

  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/齐纳
  • 系列-
  • 电压 - 齐纳(标称)(Vz)3.3V
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)1V @ 50mA
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电5µA @ 1V
  • 容差±5%
  • 功率 - 最大1W
  • 阻抗(最大)(Zzt)95 欧姆
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-243AA
  • 供应商设备封装SOT-89-3
  • 包装带卷 (TR)
  • 工作温度-65°C ~ 150°C