PMR100HZPFV3L00是一款基于硅技术的高频功率MOSFET,专为高效率开关应用设计。该器件采用先进的封装工艺和优化的芯片设计,能够显著降低导通电阻和开关损耗,从而提高系统的整体性能。其主要应用领域包括DC-DC转换器、逆变器、电机驱动以及LED照明等高频开关场景。
PMR100HZPFV3L00通过改善栅极电荷和阈值电压参数,提升了动态性能,同时支持更高的工作频率,有助于减小无源元件尺寸并实现紧凑型设计。
最大漏源电压:100V
连续漏极电流:28A
导通电阻(典型值):3mΩ
栅极电荷:45nC
总电容:1650pF
开关频率:高达1MHz
工作温度范围:-55℃至175℃
封装形式:TO-247-3
PMR100HZPFV3L00具有低导通电阻和低栅极电荷的特点,能够有效减少传导损耗和开关损耗。
器件采用增强型热管理设计,确保在高功率密度应用中具备出色的散热性能。
内置ESD保护功能,提高了器件的可靠性。
其高频性能使得它非常适合用于要求小型化和高效化的电力电子系统。
此外,该器件还兼容标准驱动电路,并提供稳定的电气参数随温度变化特性。
PMR100HZPFV3L00广泛应用于各种高频功率转换场景,包括但不限于以下领域:
- 开关模式电源(SMPS)中的同步整流和主开关管
- DC-DC转换器的核心功率级
- 太阳能逆变器中的高频切换模块
- 电动工具及家用电器中的电机驱动电路
- LED照明驱动中的高效功率转换解决方案
由于其卓越的高频特性和低损耗设计,该器件特别适合需要高效率和高功率密度的应用环境。
PMR100HZPFV2L00
IRF840
FDP159N10B
STP18NF10