时间：2025/8/28 14:50:19
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NVMFD5C446NT1G是一款由ON Semiconductor生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于需要高效能和低导通电阻的电路设计中。该器件采用先进的Trench沟槽技术，能够在较低的导通损耗和开关损耗之间取得良好的平衡，适用于电源管理和DC-DC转换器等应用。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流（ID）：6.0A
最大漏源电压（VDS）：30V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大28mΩ @ VGS = 10V
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装形式：DFN2020（2x2mm）
NVMFD5C446NT1G具备多个优异的电气特性，首先是其低导通电阻，使其在高电流条件下仍能保持较低的功率损耗，提高系统的整体效率。其次，该MOSFET采用了DFN2020的小型化封装，不仅节省了PCB空间，还提高了热性能，使其适用于高密度设计的便携式电子产品。此外，该器件的栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关过程中的能量损耗，从而提高开关频率下的效率表现。
在热性能方面，该MOSFET具备良好的散热能力，能够承受较高的工作温度，确保在恶劣环境下的稳定运行。同时，该器件具有较高的雪崩能量承受能力，有助于提高系统的可靠性和耐久性。NVMFD5C446NT1G还具备快速开关特性，适用于高频开关应用，如DC-DC转换器、负载开关、电机控制等场景。
此外，ON Semiconductor在制造过程中采用了严格的工艺控制，确保了器件的一致性和稳定性，使其适用于对质量要求较高的工业、汽车和消费类电子应用。
该MOSFET广泛应用于各种电源管理系统，包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统、电机控制电路以及高效率电源模块等。其小型化封装也使其适用于空间受限的便携式设备，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备等。
SiSS14DN, AO4464, NVTFS5C446NTAG
