型号：RZR040P01 TL
　　极性：P沟道
　　漏源电压（VDS）：-40V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：-8.3A（@VGS = -10V）
　　脉冲漏极电流（IDM）：-33A
　　导通电阻（RDS(on)）：4.0mΩ（@VGS = -10V）；5.5mΩ（@VGS = -4.5V）
　　栅极电荷（Qg）：17nC（@VGS = -10V）
　　输入电容（Ciss）：1200pF（@VDS = -20V）
　　开启延迟时间（td(on)）：12ns
　　关闭延迟时间（td(off)）：30ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：LFPAK/PowerSO-8

RZR040P01 TL具备卓越的导通性能，其低导通电阻特性显著减少了在大电流条件下的功率损耗，提升了电源转换效率。该器件采用先进的沟槽式MOSFET结构，在保证高电流承载能力的同时实现了更小的芯片尺寸，有助于缩小整体解决方案的体积。其RDS(on)值在-10V和-4.5V的栅极驱动电压下均保持较低水平，表明其兼容主流逻辑电平驱动信号，能够在多种控制器环境下稳定工作。
　　该MOSFET具有优异的开关特性，栅极电荷（Qg）仅为17nC，意味着在高频开关应用中能够有效降低驱动功耗，提升系统整体效率。同时，较低的输入电容（Ciss）也有助于减少开关过程中的动态损耗，进一步增强其在高频DC-DC变换器中的适用性。器件的开启和关闭延迟时间分别约为12ns和30ns，展现出快速响应能力，适合用于同步整流、负载开关等对瞬态响应要求较高的场合。
　　热稳定性方面，RZR040P01 TL采用LFPAK/PowerSO-8封装，该封装具有优良的散热性能，底部裸露焊盘可直接连接至PCB上的大面积铜箔以实现高效散热，从而在高功率密度应用场景下维持较低的工作温度。这种封装还具备较强的机械可靠性，避免了传统引线键合可能带来的失效风险，提高了长期运行的稳定性。
　　此外，该器件支持宽范围的工作结温（-55°C至+150°C），可在严苛环境条件下可靠运行，适用于工业级和汽车级应用需求。其符合AEC-Q101车规认证标准，表明其经过严格的可靠性测试，适用于车载电源管理系统。整体而言，RZR040P01 TL是一款集高性能、高可靠性与小型化于一体的P沟道MOSFET，广泛应用于移动设备、笔记本电脑、服务器电源模块及车载电子系统中。

RZR040P01 TL主要用于各类需要高效电源控制的电子系统中。典型应用包括便携式消费类电子产品如智能手机、平板电脑中的电池电源开关管理，用于实现安全上电与断电控制。在笔记本电脑和超极本中，它常被用作DC-DC降压变换器的同步整流开关，配合N沟道MOSFET完成高效的电压调节功能。此外，该器件也适用于服务器电源模块、网络通信设备中的多相供电架构，作为辅助电源路径的控制开关。
　　在工业自动化领域，RZR040P01 TL可用于PLC控制器、工业传感器和嵌入式控制单元的电源管理电路中，提供稳定的电源通断控制。由于其具备良好的温度特性和可靠性，也可用于汽车电子系统，例如车身控制模块（BCM）、车载信息娱乐系统（IVI）以及ADAS辅助驾驶系统的电源管理单元中，满足车规级应用对耐久性和安全性的严格要求。
　　另外，该MOSFET还可用于热插拔电路设计，防止在系统运行过程中因插拔电源或模块而产生浪涌电流，保护后级电路免受损坏。其快速开关能力和低导通损耗使其成为理想的选择。在LED驱动电源、USB PD快充适配器等高效率电源拓扑中，也能发挥出色的性能表现。

RZR030P02 TL
　　RZR050P02 TL
　　IPD95R1P04S