时间：2025/9/11 11:33:52
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KTC2875A是一种N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理、开关电源、DC-DC转换器等领域。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有低导通电阻和优异的开关性能，适合高效率和高功率密度的设计需求。
类型：N沟道
最大漏极电流（ID）：60A
最大漏源电压（VDS）：30V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：5.8mΩ（典型值）
功耗（PD）：150W
工作温度范围：-55°C至150°C
KTC2875A采用了先进的沟槽式MOSFET技术，显著降低了导通电阻，从而减少了导通损耗，提高了整体效率。其低RDS(on)特性使其在高电流应用中表现出色，能够有效降低发热，提高系统可靠性。
此外，该器件具有快速开关特性，可以减少开关损耗，提高转换效率。这对于高频开关应用尤为重要，例如在DC-DC转换器和同步整流电路中，KTC2875A能够提供优异的性能表现。
KTC2875A还具备良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作。其高耐压能力和优异的热阻特性使其适用于高功率密度的设计需求。器件的封装设计也优化了散热性能，确保在高负载条件下仍能保持良好的工作状态。
最后，KTC2875A的栅极驱动电压范围较宽，支持常见的10V至12V驱动电压，适用于多种控制电路设计。
KTC2875A主要用于电源管理系统，包括开关电源、DC-DC转换器、电池管理系统、负载开关和电机控制电路。由于其高效率和高电流处理能力，它也广泛应用于服务器、通信设备和工业自动化系统中的功率管理模块。此外，KTC2875A还可用于汽车电子系统中的高功率负载控制。
Si4410BDY-T1-GE3, IRF3710, FDS6680
