H5PS1G63EFA-S6C 是由SK Hynix(海力士)生产的一款高性能DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该芯片属于LPDDR4(低功耗双倍数据速率第4代)系列,专为移动设备和高性能计算应用设计。它采用BGA(球栅阵列)封装技术,具有低功耗、高带宽和大容量的特点。
容量:1GB
组织结构:x16
电源电压:1.1V(核心电压VDD),1.8V(I/O电压VDDQ)
时钟频率:最高可达1600MHz
数据速率:3200Mbps
工作温度范围:-40°C至+85°C
封装类型:BGA
引脚数:134
H5PS1G63EFA-S6C 是一款高性能的LPDDR4 SDRAM芯片,具有多项先进的技术特性。
首先,该芯片采用了低功耗设计,核心电压为1.1V,I/O电压为1.8V,相较于前代LPDDR3芯片,功耗降低了约30%,非常适合用于电池供电的移动设备,如智能手机、平板电脑等。
其次,H5PS1G63EFA-S6C 的数据传输速率为3200Mbps,具有较高的带宽,能够满足高清视频播放、大型游戏、多任务处理等高性能需求。其时钟频率最高可达1600MHz,支持双倍数据速率传输,提高了系统的整体响应速度和数据处理能力。
该芯片的容量为1GB,采用x16的数据总线宽度,提供了较大的存储空间,适用于需要较高内存容量的应用场景。
此外,H5PS1G63EFA-S6C 采用了BGA封装技术,具有良好的散热性能和电气性能,能够在高频率下稳定运行。其封装尺寸较小,适合用于空间受限的便携式电子设备。
在工作温度方面,H5PS1G63EFA-S6C 支持-40°C至+85°C的工作温度范围,适用于各种严苛的环境条件,保证了在不同应用场景下的稳定性和可靠性。
该芯片还支持多种低功耗模式,如自刷新模式(Self-Refresh Mode)、深度掉电模式(Deep Power-Down Mode)等,能够根据系统需求动态调整功耗,进一步延长设备的电池续航时间。
H5PS1G63EFA-S6C 主要应用于移动设备,如智能手机和平板电脑,提供高性能和低功耗的内存解决方案。此外,该芯片也可用于嵌入式系统、工业控制设备、汽车电子系统等需要高效能和低功耗内存的场合。其高带宽和低延迟特性使其适用于图像处理、视频播放、实时数据处理等高性能计算任务。
H5PS2G63EFR-S6C, H9HP53A8JJACSR, K3UH5H50AM-AGCL