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RW1A030APT2CR 发布时间 时间:2025/12/25 12:17:13 查看 阅读:18

RW1A030APT2CR是一款由ROHM Semiconductor(罗姆半导体)生产的表面贴装型肖特基势垒二极管(SBD),专为高效率、低功耗应用设计。该器件采用先进的平面结构技术制造,具有较低的正向电压降(VF)和快速的反向恢复时间(trr),适用于开关电源、DC-DC转换器、逆变器电路以及防止反向电流的应用场景。其小型化封装TSOP-2L(也称为PT2C封装)不仅节省PCB空间,还具备良好的散热性能,适合在紧凑型电子设备中使用,如智能手机、平板电脑、便携式电源管理模块等。该型号为卷带包装,适合自动化贴片生产流程。
  RW1A030APT2CR的最大重复反向电压(VRRM)为30V,最大平均整流电流(IF(AV))可达1A,在IF=1A条件下的典型正向电压仅为0.47V(25°C时),表现出优异的导通效率。此外,该器件符合AEC-Q101车规级可靠性标准,表明其可在汽车电子系统中稳定运行,包括车载充电系统、车身控制模块和辅助电源单元等环境要求较高的场合。产品无铅且符合RoHS环保规范,支持绿色环保制造要求。由于采用了高性能的硅材料与优化的金属-半导体结设计,RW1A030APT2CR能够在高温环境下保持稳定的电气特性,结温范围可达-55°C至+150°C,确保了在恶劣工作条件下的长期可靠性。

参数

型号:RW1A030APT2CR
  类型:肖特基势垒二极管(SBD)
  最大重复反向电压 VRRM:30V
  最大平均整流电流 IF(AV):1A
  峰值正向浪涌电流 IFSM:30A
  最大正向电压 VF @ IF=1A:0.47V(典型值)
  最大反向漏电流 IR @ VR=30V:0.1μA(典型值)
  反向恢复时间 trr:≤15ns
  工作结温范围 TJ:-55°C 至 +150°C
  存储温度范围 TSTG:-55°C 至 +150°C
  封装形式:TSOP-2L(PT2C)
  安装方式:表面贴装(SMD)
  符合标准:AEC-Q101、RoHS

特性

RW1A030APT2CR的核心优势在于其低正向电压降与快速开关响应能力,这使其在提高电源转换效率方面表现突出。该器件基于肖特基势垒原理工作,利用金属-半导体接触形成单向导电性,相较于传统的PN结二极管,显著降低了导通损耗。在1A的工作电流下,其典型VF仅为0.47V,这意味着在大电流负载条件下仍能维持较低的功耗和温升,从而提升整个系统的能效并减少对散热设计的需求。同时,其极短的反向恢复时间(trr ≤ 15ns)有效抑制了开关过程中的反向恢复电荷(Qrr),避免了高频工作时因拖尾电流引起的能量浪费和电磁干扰问题,特别适用于高频DC-DC变换器和同步整流拓扑中作为续流或整流元件。
  该器件通过了AEC-Q101车规级认证,意味着它经过了一系列严格的应力测试,包括高温反偏、温度循环、机械冲击和湿度敏感度评估,确保其在复杂车载环境中具备出色的可靠性和寿命稳定性。这种高可靠性使RW1A030APT2CR不仅可用于消费类电子产品,还可广泛应用于汽车电子领域,如车身控制模块、车载信息娱乐系统电源、LED照明驱动及电池管理系统中的保护电路。其TSOP-2L封装具有较小的占位面积(约2.0mm × 1.25mm),非常适合高密度PCB布局,并支持回流焊工艺,适应现代自动化生产线的要求。热阻特性良好,能够将内部产生的热量有效传导至PCB,进一步增强热管理能力。此外,该器件具备较低的反向漏电流(典型值0.1μA),有助于降低待机模式下的静态功耗,满足节能设计趋势。整体而言,RW1A030APT2CR是一款集高效、小型化、高可靠性和环保于一体的先进功率二极管解决方案。

应用

RW1A030APT2CR广泛应用于多种需要高效整流和快速响应的电力电子系统中。常见用途包括便携式消费类电子产品的电源管理单元,例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的DC-DC转换器,用于实现高效的电压调节与能量传输。在这些应用中,其低正向压降可显著减少电源路径上的能量损耗,延长电池续航时间。此外,该器件也适用于各类开关电源(SMPS)、AC-DC适配器和USB供电模块,作为输出整流二极管使用,以提高整体转换效率。
  在汽车电子领域,RW1A030APT2CR因其通过AEC-Q101认证而被广泛采用,可用于车载充电系统、车身控制器、仪表盘电源模块以及LED车灯驱动电路中,提供可靠的反向电流隔离和瞬态保护功能。其宽泛的工作温度范围(-55°C 至 +150°C)使其能在发动机舱附近或极端气候条件下依然保持稳定性能。另外,该器件也可用于工业控制设备、通信模块和物联网终端设备中的电源整流与极性保护电路,保障系统免受接线错误或电源反接造成的损坏。由于其快速恢复特性,还能在高频逆变器和脉冲宽度调制(PWM)控制电路中发挥重要作用,减少开关噪声和能量损耗,提升系统动态响应能力。

替代型号

RB751S-40T1U
  RB751V-40T1U
  SS12A
  SBM130ALT3G

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RW1A030APT2CR参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态停产
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)12 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)3A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)1.5V,4.5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)42 毫欧 @ 3A,4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)22 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值)-8V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)2700 pF @ 6 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)700mW(Ta)
  • 工作温度150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装6-WEMT
  • 封装/外壳6-SMD,扁平引线