时间：2025/6/22 5:50:33
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IAUA250N04S6N007E是一款高性能的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件，适用于多种功率转换和开关应用。该型号采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高效率和出色的热性能，能够满足现代电子设备对能耗和散热的严格要求。它通常用于电源管理、电机驱动以及DC-DC转换等场景。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：250A
导通电阻：1.5mΩ
栅极电荷：38nC
输入电容：4500pF
总功耗：250W
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
IAUA250N04S6N007E具有以下关键特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 高脉冲电流承载能力，适合需要大电流的应用环境。
3. 快速开关速度和低栅极电荷，降低了开关损耗。
4. 采用D2PAK封装形式，提供卓越的散热性能。
5. 工作温度范围宽广，能够在极端条件下稳定运行。
6. 符合RoHS标准，环保且安全可靠。
该型号广泛应用于以下领域：
1. 电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）中的电机控制器。
2. 工业自动化设备中的高效电源转换器。
3. 数据中心服务器的负载点（POL）转换模块。
4. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统的功率调节。
5. 各类消费类电子产品中的直流电机驱动电路。
6. 高效AC-DC适配器和充电器设计。
IPA250N04S6N007E, IAUB250N04S6N007E
