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CSD25485F5 发布时间 时间:2025/5/6 20:44:37 查看 阅读:8

CSD25485F5是来自德州仪器(TI)的一款N沟道增强型功率MOSFET,采用小型化的SON-8封装形式。该器件专为高频开关应用而设计,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,适用于同步降压转换器、负载点电源、DC-DC转换器以及其他功率管理电路。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:16A
  导通电阻:4.5mΩ
  栅极电荷:7nC
  总电容:1250pF
  工作温度范围:-55℃至150℃
  封装形式:SON-8

特性

CSD25485F5具备非常低的导通电阻(Rds(on)),这有助于减少传导损耗并提高效率。其快速开关性能由较低的栅极电荷决定,可以有效降低开关损耗。
  此外,这款MOSFET采用了先进的工艺技术以优化热性能,同时支持高达1MHz以上的开关频率。小型化的SON-8封装还能够节省PCB空间,非常适合紧凑型设计需求。

应用

CSD25485F5广泛应用于各种高效率功率转换场景,包括但不限于:
  - 同步整流降压转换器
  - 负载点(POL)转换器
  - 笔记本电脑和服务器中的电源管理
  - 消费类电子设备中的DC-DC转换
  - 电池充电管理电路
  由于其高效率和小尺寸特点,它特别适合于需要高功率密度的设计。

替代型号

CSD18504Q5A, CSD19502Q5A, IRF7844

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CSD25485F5参数

  • 现有数量6,958现货9,000Factory
  • 价格1 : ¥3.97000剪切带(CT)3,000 : ¥1.14121卷带(TR)
  • 系列FemtoFET?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)20 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)3.2A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)1.8V,8V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)35 毫欧 @ 900mA,8V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1.3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)3.5 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值)-12V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)533 pF @ 10 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)500mW(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装3-PICOSTAR
  • 封装/外壳3-XFDFN