时间：2025/5/6 20:44:37
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CSD25485F5是来自德州仪器（TI）的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用小型化的SON-8封装形式。该器件专为高频开关应用而设计，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，适用于同步降压转换器、负载点电源、DC-DC转换器以及其他功率管理电路。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：16A
导通电阻：4.5mΩ
栅极电荷：7nC
总电容：1250pF
工作温度范围：-55℃至150℃
封装形式：SON-8
CSD25485F5具备非常低的导通电阻（Rds(on)），这有助于减少传导损耗并提高效率。其快速开关性能由较低的栅极电荷决定，可以有效降低开关损耗。
此外，这款MOSFET采用了先进的工艺技术以优化热性能，同时支持高达1MHz以上的开关频率。小型化的SON-8封装还能够节省PCB空间，非常适合紧凑型设计需求。
CSD25485F5广泛应用于各种高效率功率转换场景，包括但不限于：
- 同步整流降压转换器
- 负载点（POL）转换器
- 笔记本电脑和服务器中的电源管理
- 消费类电子设备中的DC-DC转换
- 电池充电管理电路
由于其高效率和小尺寸特点，它特别适合于需要高功率密度的设计。
CSD18504Q5A, CSD19502Q5A, IRF7844
