CSD25485F5是来自德州仪器(TI)的一款N沟道增强型功率MOSFET,采用小型化的SON-8封装形式。该器件专为高频开关应用而设计,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,适用于同步降压转换器、负载点电源、DC-DC转换器以及其他功率管理电路。
最大漏源电压:30V
连续漏极电流:16A
导通电阻:4.5mΩ
栅极电荷:7nC
总电容:1250pF
工作温度范围:-55℃至150℃
封装形式:SON-8
CSD25485F5具备非常低的导通电阻(Rds(on)),这有助于减少传导损耗并提高效率。其快速开关性能由较低的栅极电荷决定,可以有效降低开关损耗。
此外,这款MOSFET采用了先进的工艺技术以优化热性能,同时支持高达1MHz以上的开关频率。小型化的SON-8封装还能够节省PCB空间,非常适合紧凑型设计需求。
CSD25485F5广泛应用于各种高效率功率转换场景,包括但不限于:
- 同步整流降压转换器
- 负载点(POL)转换器
- 笔记本电脑和服务器中的电源管理
- 消费类电子设备中的DC-DC转换
- 电池充电管理电路
由于其高效率和小尺寸特点,它特别适合于需要高功率密度的设计。
CSD18504Q5A, CSD19502Q5A, IRF7844