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RV3C002UNT2CL 发布时间 时间:2025/11/8 5:46:17 查看 阅读:9

RV3C002UNT2CL是Renesas Electronics(瑞萨电子)推出的一款高性能、低功耗的实时时钟(RTC,Real-Time Clock)芯片,广泛应用于需要精确时间保持和日历功能的嵌入式系统中。该器件集成了I2C总线接口,支持标准模式(100kHz)和快速模式(400kHz),便于与微控制器或处理器进行通信。RV3C002UNT2CL采用紧凑型WLCSP(晶圆级芯片封装)封装,尺寸极小,适合对空间要求严苛的便携式设备。该芯片内置可编程闹钟功能、周期性中断输出以及温度补偿机制,确保在宽温度范围内维持高时间精度。此外,它还具备低电压检测功能,在主电源失效时可自动切换至备用电池供电,保障时间信息不丢失。
  为了提高系统的可靠性,RV3C002UNT2CL集成了上电复位电路和掉电检测功能,能够在电源不稳定的情况下维持寄存器数据的完整性。其内部时钟源为32.768kHz晶体振荡器,通过精密 trimming 技术实现月误差小于±1分钟的时间精度。该芯片符合RoHS环保标准,并支持无铅焊接工艺,适用于工业控制、消费电子、医疗设备、智能仪表等多种应用场景。

参数

型号:RV3C002UNT2CL
  制造商:Renesas Electronics
  封装类型:WLCSP-6
  工作电压范围:1.7V ~ 5.5V
  接口类型:I2C(兼容400kHz)
  时钟精度:±3.5ppm(@25°C,典型值)
  待机电流:典型值0.4μA(VDD=3V,Tamb=25°C)
  工作温度范围:-40°C ~ +85°C
  计时功能:秒、分、时、日、日期、月、年
  闹钟功能:支持日、周、月闹钟
  中断输出:开漏IRQ引脚,可配置为周期性中断或闹钟触发
  备用电池切换:支持自动切换至VBAT引脚供电
  内置振荡器:支持32.768kHz晶体
  寄存器保持电压:最低1.0V(VBAT模式下)
  抗干扰能力:内置噪声滤波电路

特性

RV3C002UNT2CL具备高精度实时时钟核心,采用数字温度补偿技术(DTCXO),有效消除因环境温度变化引起的频率漂移,从而保证长时间运行下的时间准确性。其内部集成的32.768kHz晶体驱动电路经过优化设计,能够适配多种标准音叉型晶体,降低外部元件选型难度。芯片支持I2C总线地址可配置功能,允许多个RTC器件在同一总线上共存而不会发生地址冲突,提升了系统扩展性。此外,该器件提供灵活的中断管理机制,用户可通过编程设置周期性中断(如每秒、每分钟、每小时等)或设定特定时间点的闹钟事件,用于唤醒休眠中的主控MCU或执行定时任务,极大提高了系统能效比。
  在电源管理方面,RV3C002UNT2CL表现出色。当主电源下降至阈值以下时,芯片会自动检测并无缝切换至备用电池供电,同时关闭非关键模块以降低功耗。在VBAT模式下,仅维持RTC核心和少数寄存器运行,电流消耗低至0.4μA,显著延长了纽扣电池的使用寿命。该芯片还具备上电复位(POR)和电压监控功能,防止在电源上升/下降过程中出现误操作或数据损坏。所有寄存器内容可在低至1.0V的电压下保持不变,增强了系统在极端低压条件下的稳定性。
  安全性与可靠性也是该芯片的重要优势。RV3C002UNT2CL集成了写保护机制,防止因总线误操作导致的关键寄存器被篡改。其I2C接口支持从机模式下的应答 polling 和超时检测,避免总线锁死问题。整个芯片设计遵循严格的工业级标准,具有良好的抗电磁干扰(EMI)性能和静电放电(ESD)防护能力(HBM ±4kV)。这些特性使其非常适合部署在复杂电磁环境中长期运行的设备中,如智能电表、安防系统和远程监控终端。

应用

RV3C002UNT2CL广泛应用于各类需要精准时间记录和低功耗运行的电子系统中。常见用途包括便携式医疗设备(如血糖仪、体温计、健康手环),其中持续准确的时间戳对于数据追踪至关重要;工业自动化控制系统,用于事件日志记录、定时启停操作和PLC同步;智能家居与物联网终端,如智能门锁、温控器、网关设备,利用其闹钟唤醒功能实现节能运行;汽车电子模块,例如车载记录仪、远程信息处理单元(Telematics),在点火关闭后仍需维持时间同步;以及各类智能仪表(水表、电表、气表),依赖其超低功耗特性实现长达十年以上的电池寿命。此外,该芯片也适用于POS机、打印机、服务器主板等商用设备中的CMOS RTC备份功能。

替代型号

RX8025T
  DS3231
  PCF8563T
  MCP7940N

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RV3C002UNT2CL参数

  • 现有数量198,178现货
  • 价格1 : ¥3.90000剪切带(CT)8,000 : ¥1.04074卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)20 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)150mA(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)1.5V,4.5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)2 欧姆 @ 150mA,4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1V @ 100μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)-
  • Vgs(最大值)±10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)12 pF @ 10 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)100mW(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装VML0604
  • 封装/外壳3-XFDFN