类型：N 沟道 MOSFET
　　封装：SOT-23
　　漏源电压（VDS）：100 V
　　栅源电压（VGS）：±20 V
　　连续漏极电流（ID）：0.3 A
　　功耗（PD）：300 mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　导通电阻（RDS(on)）：约 4.5 Ω（最大值）
　　栅极电荷（Qg）：10 nC
　　开启电压（VGS(th)）：1.0 V 至 2.5 V

BSS138 的主要特性包括其高开关速度和低导通电阻，这使得它在低功耗应用中表现出色。该器件的漏源电压为 100 V，能够承受较高的电压应力，适用于多种低压控制电路。此外，BSS138 的栅极驱动电压范围较宽（±20 V），允许使用不同的驱动电路进行控制，增强了设计的灵活性。
　　BSS138 的 SOT-23 封装使其非常适合用于空间受限的设计，例如移动设备、小型电源模块和传感器接口电路。该封装还提供了良好的热性能，能够在高电流条件下保持稳定运行。
　　该 MOSFET 的开启电压范围为 1.0 V 至 2.5 V，支持低电压控制信号，适用于 3.3 V 或 5 V 系统中的电平转换应用。此外，BSS138 的栅极电荷较低，有助于减少开关损耗，提高整体系统效率。
　　由于其良好的热稳定性和可靠性，BSS138 在工业控制、汽车电子和消费类电子产品中广泛使用。该器件的高耐压能力和较低的静态功耗也使其适用于电池供电设备和节能型电源设计。

BSS138 广泛应用于多个领域，包括但不限于以下方面：电平转换器、负载开关、小型电源管理电路、逻辑控制电路、电机驱动电路、LED 驱动器、电池充电管理、低电压开关应用以及嵌入式系统中的外围控制电路。由于其 SOT-23 小型封装，BSS138 也常用于便携式电子设备，如智能手机、平板电脑和穿戴式设备中的电源切换和信号控制。

2N7002, FDV301N, IRLML2402, SI2302, 2N3904（BJT 替代，需注意驱动方式不同）