时间：2025/8/20 20:59:23
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HYG068N08是一款高性能的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由国内厂商生产，适用于电源管理、电机驱动、DC-DC转换器、电池管理系统等多种功率应用场合。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压能力和良好的热稳定性，能够在较高的开关频率下工作，从而减小外围电路的体积并提高系统效率。HYG068N08采用TO-252（DPAK）封装形式，便于散热并适用于表面贴装工艺。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：80V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：80A（在TC=25℃）
导通电阻(Rds(on))：≤6.8mΩ（在Vgs=10V时）
最大功耗(Pd)：125W
工作温度范围：-55℃～+175℃
封装形式：TO-252（DPAK）
HYG068N08具有低导通电阻（Rds(on)）特性，能够在高电流条件下显著降低导通损耗，从而提升系统效率。其最大漏源电压为80V，适用于中高压功率转换系统。该器件在设计上优化了开关特性，具有较快的开关速度和较低的开关损耗，适用于高频开关应用。TO-252封装提供了良好的散热性能，同时支持表面贴装工艺，适用于自动化生产流程。此外，HYG068N08具有较高的可靠性和耐久性，能够在恶劣工作环境下稳定运行。
该MOSFET的栅极驱动电压范围为±20V，支持标准逻辑电平驱动（如10V），便于与各种驱动IC或控制器配合使用。其在不同工作温度下仍能保持稳定的电气性能，适合用于对热稳定性要求较高的工业电源、电动汽车电驱系统和储能设备中。HYG068N08还具备较高的雪崩击穿能量承受能力，提升了在突变负载或短路情况下的器件安全性。
HYG068N08广泛应用于各类功率电子系统中，如DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、逆变器、工业自动化设备和电源模块等。其低导通电阻和高电流能力使其特别适合用于需要高效能和高可靠性的场合，例如新能源汽车的车载充电器（OBC）、储能系统中的双向变换器、工业电源中的功率因数校正（PFC）电路等。此外，该器件也常用于智能电网、UPS不间断电源以及各类高效率电源适配器的设计中。
SiHF68N80E, STF80N80M5, IPP68N80S4-03, HYG075N08
