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ZXMHC10A07N8TC 发布时间 时间：2023/8/14 15:50:01 查看 阅读：243

产品种类: MOSFET 及电源驱动器 IC

目录

概述

制造商: Diodes Inc.
产品种类: MOSFET 及电源驱动器 IC
产品: H-Bridge Drivers
上升时间: 1.5 ns
下降时间: 2.1 ns
最大功率耗散: 0.87 W
最大工作温度: - 55℃
最小工作温度: + 150℃
封装 / 箱体: SOIC-8
封装: Reel
最大关闭延迟时间: 4.1 ns
最大开启延迟时间: 1.8 ns
安装风格: SMD/SMT
激励器数量: 4
输出电压: 100 V

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ZXMHC10A07N8TC参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列-
  • FET 型2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥式）
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C800mA，680mA
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C700 毫欧 @ 1.5A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs2.9nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds138pF @ 60V
  • 功率 - 最大870mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
  • 供应商设备封装8-SOP
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称ZXMHC10A07N8DITR

IC型号索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 

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