时间：2025/8/28 13:43:31
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RURU15060 是一款由 Renesas Electronics 生产的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）功率器件，型号中包含了具体的电气特性与设计用途。该器件适用于需要高效能与高稳定性的应用场合，特别是在电源管理和功率转换领域中表现突出。RURU15060 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，具有低导通电阻、高耐压和高电流容量等优点，适用于 DC-DC 转换器、电源开关、电机驱动和负载开关等应用场景。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压 Vds：60V
最大漏极电流 Id：15A
导通电阻 Rds(on)：约 22mΩ（典型值）
栅极阈值电压 Vgs(th)：约 1V ~ 2.5V
最大功耗：45W
封装形式：TO-252（DPAK）或类似功率封装
工作温度范围：-55°C 至 150°C
RURU15060 MOSFET 的主要特性之一是其较低的导通电阻（Rds(on)），这使得在高电流工作时能够显著降低功率损耗，提高整体系统的效率。该器件在高温环境下依然保持稳定性能，适用于高可靠性应用场景。其高电流承载能力和低热阻使其适用于紧凑型功率设计。此外，该 MOSFET 具有良好的热稳定性和短路保护能力，能够在极端负载条件下维持正常工作。RURU15060 还具备快速开关特性，减少了开关过程中的能量损耗，适用于高频开关电源和 DC-DC 转换器等场合。其封装设计有助于良好的散热性能，简化了热管理方案，提高了整体系统的可靠性和寿命。
RURU15060 广泛应用于各类电力电子系统中，特别是在需要高效率和高稳定性的功率转换设备中。例如，它常用于 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动器以及工业自动化控制系统。此外，在汽车电子、服务器电源、太阳能逆变器和通信设备电源中，RURU15060 也常被采用，以实现高效能和高可靠性的功率管理。
IPD150N06S4-03, FDP150N60, TK15A06K, FDMS86181
