MMBZ5262BTW_R1_00001 是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的表面贴装(SOT-23封装)齐纳二极管(Zener Diode),主要用于电压参考和稳压应用。该器件具有较高的稳定性和较低的动态阻抗,适用于需要精密电压调节的电子电路。MMBZ5262BTW采用双引线SOT-23封装,适合用于消费类电子产品、工业控制系统、电池供电设备等多种应用场景。
类型:齐纳二极管
封装形式:SOT-23
标称齐纳电压:15 V
齐纳电流(IZ):20 mA
最大齐纳电流(IZM):100 mA
最大反向漏电流(IR):100 nA @ VR=12V
最大功耗:300 mW
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
MMBZ5262BTW_R1_00001齐纳二极管具有多项优良特性,使其在各种电压调节和参考电路中表现出色。
首先,该器件的齐纳电压精度高,典型值为15V,且在额定电流下的电压稳定性好,适合用于需要高精度电压参考的设计。其动态阻抗较低,有助于在负载变化时保持输出电压的稳定,从而提高电路的整体性能。
其次,MMBZ5262BTW采用SOT-23封装,体积小巧,便于在高密度PCB布局中使用。该封装还具备良好的热稳定性,能够在较高的工作温度下维持正常运行,适合用于便携式设备、电源模块和嵌入式系统等空间受限的应用场景。
此外,该齐纳二极管的最大功耗为300mW,可在20mA的额定齐纳电流下稳定工作,并支持最高100mA的瞬态电流,具备一定的过载能力。其反向漏电流在12V反向电压下仅为100nA,确保在低功耗电路中不会引入显著的电流损耗。
最后,该器件的温度系数较低,能够在-55°C至+150°C的宽温度范围内保持稳定的电压特性,适用于工业级和汽车电子等严苛环境下的应用。
MMBZ5262BTW_R1_00001齐纳二极管广泛应用于需要稳定电压参考的电路中。
最常见的用途是作为电压基准源,用于模拟电路、ADC/DAC参考电压生成、电源监控电路以及电压比较器的参考输入。由于其低动态阻抗和良好的温度稳定性,非常适合用于高精度测量设备和传感器接口电路。
在电源管理方面,该器件可用于低电流稳压电路,如为运算放大器、电压调节器或微控制器的复位电路提供稳定电压。此外,它也可用于过压保护电路中,作为钳位元件限制输入电压,保护后级电路免受损坏。
在便携式设备和电池供电系统中,MMBZ5262BTW的低功耗特性使其成为理想的电压参考元件,有助于延长电池寿命。同时,其SOT-23封装也适合自动化贴片生产,广泛应用于消费类电子产品、工业控制板、通信设备等领域。
MMBZ5262BRT, MMSZ5262B, 1N4744A