时间：2025/12/29 13:49:58
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RURG75120 是由瑞萨电子（Renesas Electronics）推出的一款高耐压、高频功率MOSFET，专为高效能开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等应用而设计。该器件基于先进的沟槽式技术制造，具有低导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能，能够在高温环境下稳定工作。RURG75120 采用TO-247封装，便于安装和散热管理，适合工业电源、电动汽车充电设备、太阳能逆变器等高要求应用场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电压(Vds)：1200V
最大漏极电流(Id)：75A
导通电阻(Rds(on))：150mΩ（典型值）
栅极电压(Vgs)：±20V
最大功率耗散(Pd)：300W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-247
RURG75120 MOSFET 具备多项优异特性，使其在高压高功率应用中表现出色。首先，其最大漏极电压达到1200V，能够支持高电压系统设计，如工业变频器和光伏逆变器。其次，导通电阻仅为150mΩ，显著降低了导通损耗，提高了系统整体效率。此外，该器件采用了先进的沟槽式结构，优化了开关性能，减少了开关损耗，并具备良好的抗雪崩能力。
在热管理方面，RURG75120采用高热导性材料和优化的封装设计，能够在高负载条件下保持较低的工作温度，从而提升系统稳定性和寿命。该MOSFET还具备快速恢复二极管特性，适用于高频开关应用，减少电磁干扰（EMI）。最后，其TO-247封装形式具备良好的机械强度和散热能力，便于用户进行PCB布局与散热片安装。
RURG75120 MOSFET 广泛应用于多种高压高功率系统中，包括但不限于：工业开关电源（SMPS）、电机驱动器、DC-DC转换器、UPS不间断电源、电动汽车充电模块、光伏逆变器以及工业自动化设备中的功率模块。由于其优异的高频开关特性和低导通电阻，特别适合用于需要高效率和高可靠性的电源转换系统。此外，其高耐压能力和良好的热稳定性也使其在新能源汽车和储能系统中具有良好的适用性。
RURG75120的替代型号包括RURG80120、RURG75120Z、RURG75120SP、IXFN78N120等。这些型号在电气参数和封装形式上具有较高的兼容性，具体选择应根据应用需求、工作条件和供应商供货情况综合考虑。
