电容：3.3nF
　　容差：±20%
　　额定电压：100V DC
　　介电材料：X7R
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　封装尺寸：0805（2012）
　　温度特性：ΔC/C ≤ ±15%
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　产品系列：UFG
　　直流偏压特性：典型值随电压升高电容略有下降
　　绝缘电阻：≥1000MΩ 或 C·V ≥ 100S（取较大值）
　　等效串联电阻（ESR）：低
　　损耗角正切（tanδ）：≤ 2.5%
　　端接类型：镍阻挡层 + 锡镀层（Ni-Sn）

UFG1A332MHM采用先进的多层陶瓷制造工艺，确保了在宽温度范围内电容值的高度稳定性。X7R介电材料的使用使其能够在-55°C至+125°C的极端温度条件下保持电容变化在±15%以内，非常适合用于对温度敏感的应用场景。该电容器在不同直流偏置电压下的电容衰减表现优于普通Y5V或Z5U材料的电容，因此在电源去耦、滤波和信号耦合等关键电路中表现出更可靠的性能。此外，X7R材料还具有较低的老化率（通常为每 decade 小于2.5%），进一步提升了长期使用的稳定性。
　　该器件的0805封装形式在尺寸与性能之间实现了良好平衡，既保证了足够的机械强度，又适应高密度PCB布局需求。其端电极采用全镍阻挡层和锡外镀层结构，有效防止银离子迁移，提高潮湿环境下的可靠性，并兼容无铅焊接工艺。这种结构还增强了抗热循环和机械应力的能力，减少因热膨胀不匹配导致的裂纹风险。在高频应用中，UFG1A332MHM展现出较低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），有助于降低功率损耗并抑制噪声，特别适用于开关电源输出滤波、射频旁路和时钟电路去耦等场景。
　　松下UFG系列电容器经过严格的质量控制流程，符合AEC-Q200汽车级标准的部分要求，适用于工业级和部分车载应用。产品在出厂前经过高压筛选和老化测试，确保批次一致性与高可靠性。此外，该型号具有良好的抗湿性和长期存储稳定性，在未开封状态下可保存长达12个月而不影响焊接性能。其低损耗角正切（tanδ ≤ 2.5%）意味着能量损耗小，发热少，有利于提升系统能效。总体而言，UFG1A332MHM是一款兼具高性能、高可靠性和广泛适用性的表面贴装MLCC，适用于对稳定性要求较高的中高压电路设计。

UFG1A332MHM广泛应用于各类需要稳定电容值和高可靠性的电子设备中。在电源管理电路中，常用于DC-DC转换器的输入/输出滤波、LDO稳压器的旁路以及开关电源的噪声抑制，其低ESR特性有助于减少纹波电压并提升电源效率。在模拟信号处理电路中，该电容可用于音频放大器、运算放大器的耦合与去耦，保障信号传输的纯净度。由于其X7R介质的良好频率响应，也适用于中频滤波器和谐振电路中的旁路应用。
　　在通信设备领域，UFG1A332MHM可用于以太网接口、RS-485收发器、CAN总线等差分信号线路的共模噪声滤除，同时作为EMI/RFI滤波元件提升系统的电磁兼容性。在工业控制系统中，该电容常见于PLC模块、传感器信号调理电路和电机驱动控制器中，用于电源去耦和瞬态电压抑制。此外，在汽车电子应用中，如车载信息娱乐系统、车身控制模块和ADAS传感器供电单元，该器件因其较宽的工作温度范围和良好的热稳定性而被广泛采用。
　　消费类电子产品如智能手机、平板电脑、智能电视和无线路由器中，UFG1A332MHM可用于处理器核心电源的去耦网络，稳定供电电压，防止电压波动引起的系统异常。在LED照明驱动电源中，也可作为缓冲电容使用。由于其符合RoHS环保标准且支持回流焊工艺，非常适合现代自动化SMT生产线，满足大批量制造的需求。

GRM21BR71H332KA01L
　　CL21A332MHANNNC
　　C2012X7R1H332K
　　ECJ-2VB1H332M