RUQ050N02 时间：2025/12/25 12:17:31 阅读：9

RUQ050N02是一款由瑞萨电子（Renesas Electronics）推出的N沟道功率MOSFET，专为高效率、高频开关应用设计。该器件采用先进的沟槽栅极制造工艺，优化了导通电阻与栅极电荷之间的平衡，从而在电源转换系统中实现更低的功耗和更高的整体效率。RUQ050N02主要面向DC-DC转换器、同步整流、电池管理电路以及负载开关等低电压大电流应用场景。其封装形式为紧凑型PowerPAK SO-8L，具备优良的热性能和空间利用率，适用于对尺寸敏感且需要良好散热能力的便携式电子产品，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑和其他消费类电子设备。
　　这款MOSFET的工作电压等级为20V，适合用于5V至12V输入范围内的电源系统。由于其超低的导通电阻特性，在轻载和满载条件下均能保持较高的能效表现，有助于延长电池续航时间并减少发热问题。此外，RUQ050N02具有良好的抗雪崩能力和稳健的可靠性设计，能够在瞬态过压或负载突变情况下稳定运行，提升系统的安全性和耐用性。产品符合RoHS环保标准，并通过AEC-Q101车规级认证，表明其不仅适用于工业级环境，也可用于车载电子系统中的低压功率控制模块。

参数

型号：RUQ050N02
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：20 V
　　栅源电压（VGS）：±12 V
　　连续漏极电流（ID）：5.0 A @ 25°C
　　脉冲漏极电流（IDM）：20 A
　　导通电阻（RDS(on)）：5.0 mΩ @ VGS = 10 V
　　导通电阻（RDS(on)）：6.0 mΩ @ VGS = 4.5 V
　　栅极阈值电压（Vth）：0.6 V ~ 1.0 V
　　输入电容（Ciss）：470 pF @ VDS = 10 V
　　输出电容（Coss）：190 pF @ VDS = 10 V
　　反向恢复时间（trr）：18 ns
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：PowerPAK SO-8L

特性

RUQ050N02的核心优势在于其极低的导通电阻与优异的开关性能相结合，使其成为高效电源管理系统中的理想选择。该器件在VGS = 10 V时，典型RDS(on)仅为5.0 mΩ，显著降低了大电流路径上的传导损耗，提升了电源转换效率。即使在较低驱动电压（如4.5 V）下，其RDS(on)也仅上升至6.0 mΩ，确保了在使用逻辑电平信号直接驱动时仍能维持良好性能，无需额外增加电平转换电路。这种特性特别适用于由微控制器或PMIC直接控制的同步整流拓扑结构。
　　该MOSFET采用了瑞萨成熟的沟槽栅极技术，有效减小了单位面积下的比导通电阻（specific on-resistance），同时优化了栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qgd）。其总栅极电荷低至7.5 nC（典型值），大幅减少了驱动电路所需的能量，有利于提高高频开关应用中的整体效率，并降低驱动IC的负担。此外，较低的输入和输出电容（Ciss = 470 pF, Coss = 190 pF）进一步减小了开关过程中的充放电损耗，使器件更适合用于工作频率高达数百kHz甚至MHz级别的DC-DC变换器中。
　　在可靠性方面，RUQ050N02具备出色的热稳定性与长期耐久性。其最大结温可达+150°C，并支持宽范围的工作环境温度（-55°C至+150°C），可在严苛条件下稳定运行。器件还具备良好的抗雪崩能力，能够承受一定程度的电感负载断开时产生的电压尖峰，增强了系统鲁棒性。PowerPAK SO-8L封装无铅且符合RoHS标准，底部带有暴露焊盘，可通过PCB大面积铺铜实现高效散热，显著降低热阻，提升功率密度。综合来看，RUQ050N02是一款集高性能、小型化与高可靠性于一体的先进功率MOSFET，广泛适用于现代高集成度电源解决方案。

应用

RUQ050N02主要用于各类中低电压直流电源系统，包括但不限于同步降压转换器、负载开关、电池供电设备的电源管理单元、USB PD电源路径控制、移动设备中的多相VRM架构以及电机驱动电路中的低端开关元件。其优异的导通特性和快速响应能力也使其适用于热插拔控制器和OR-ing二极管替代方案。此外，得益于其AEC-Q101认证，该器件还可应用于汽车信息娱乐系统、车身控制模块及辅助电源系统等车载电子领域。