时间：2025/9/2 4:31:14
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H9TKNNN8KDMPRR-NGM是一款由SK海力士（SK Hynix）制造的高性能、低功耗的移动LPDDR5 SDRAM（同步动态随机存取存储器）芯片。该芯片专为高端智能手机、平板电脑和便携式电子设备设计，采用先进的1z纳米制程工艺，提供高容量和高速数据传输能力。这款内存芯片的封装形式为FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array），支持紧凑的PCB布局和优异的电气性能，适用于需要高内存带宽和低功耗的应用场景。
容量：8GB（64Gb）
内存类型：LPDDR5 SDRAM
封装类型：FBGA
电压：1.02V ~ 1.12V（VDD/VDDQ）
数据速率：6400Mbps
I/O接口：x64
工作温度：-40°C ~ +85°C
时钟频率：3200MHz
封装尺寸：8mm x 10mm
内存架构：8Gb x 8
H9TKNNN8KDMPRR-NGM具备多项先进特性，包括双倍数据速率（DDR）技术，可在每个时钟周期传输两次数据，从而显著提升数据吞吐量。其低功耗设计优化了电池供电设备的能效，延长了设备的使用时间。该芯片还支持多种省电模式，如深度掉电模式（Deep Power-Down Mode）和自刷新模式（Self-Refresh Mode），以进一步降低功耗。此外，该芯片采用差分时钟（Differential Clock）和数据掩码（Data Mask）功能，确保高速传输下的数据完整性与稳定性。其内置的温度传感器和自动刷新机制有助于维持系统在不同环境下的可靠运行，适用于高性能移动计算平台的需求。
该芯片广泛应用于高端智能手机、平板电脑、可穿戴设备以及需要大容量内存和高速处理能力的嵌入式系统中。此外，它也适用于需要高带宽和低延迟的AI加速器、AR/VR设备和便携式游戏机等新兴技术产品。
H9HKNNN8GDDRPRR-NGM
H9HKNNN8GDAPRR-NGM
LPDDR5X-6400 8GB颗粒
