时间：2025/12/25 10:24:09
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RUF015N02TL是一款由罗姆（ROHM）半导体公司生产的N沟道MOSFET，专为高效率、高密度电源应用而设计。该器件采用先进的沟槽式场效应技术制造，具有极低的导通电阻和优异的开关性能，适用于多种便携式电子设备和工业控制领域。RUF015N02TL封装在小型化且热性能优良的封装中，有助于减小整体PCB面积并提升系统功率密度。其主要特点包括低栅极电荷、快速开关响应以及良好的热稳定性，使其在DC-DC转换器、负载开关、电机驱动和电池管理系统等应用中表现出色。此外，该MOSFET符合RoHS环保标准，并具备高可靠性，适合在严苛的工作环境下长期运行。
型号：RUF015N02TL
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压Vds：20V
最大连续漏极电流Id：8.5A
导通电阻Rds(on) @ Vgs=4.5V：1.5mΩ
导通电阻Rds(on) @ Vgs=2.5V：2.0mΩ
栅极阈值电压Vth：0.6V ~ 1.0V
输入电容Ciss：330pF
输出电容Coss：190pF
反向传输电容Crss：40pF
栅极电荷Qg @ 4.5V：4.8nC
耗散功率Pd：2.3W
工作结温范围Tj：-55°C ~ +150°C
封装形式：TSLM-6
极性：N-Channel
通道数：单通道
RUF015N02TL采用ROHM专有的高性能沟槽结构工艺，实现了超低导通电阻Rds(on)，在Vgs=4.5V时典型值仅为1.5mΩ，显著降低了导通损耗，提高了电源系统的整体效率。这一特性对于大电流应用场景尤为重要，例如在便携式设备的同步整流DC-DC变换器中，能够有效减少发热，延长电池续航时间。同时，该器件在较低的栅极驱动电压下仍能保持良好性能，在Vgs=2.5V时Rds(on)仅上升至2.0mΩ，支持宽范围逻辑电平驱动，兼容1.8V、2.5V或3.3V数字控制器，增强了系统设计灵活性。
该MOSFET具备出色的动态性能参数，输入电容Ciss为330pF，反向传输电容Crss仅为40pF，意味着其具有较小的驱动功耗和较强的抗噪声干扰能力。低Crss有助于抑制米勒效应引起的误触发，从而提高开关稳定性，特别适用于高频开关电源设计。其栅极电荷Qg在4.5V驱动条件下仅为4.8nC，进一步降低驱动电路的能量消耗，有利于实现高频高效运行。此外，器件采用了优化的封装设计TSLM-6，具有优良的散热性能和机械强度，能够在紧凑空间内有效传导热量，避免局部过热导致性能下降或失效。
RUF015N02TL还具备良好的热稳定性和可靠性，工作结温范围从-55°C到+150°C，适应各种恶劣环境条件下的应用需求。内置的体二极管具有较快的反向恢复特性，适合用于需要续流功能的拓扑结构中。该器件通过了AEC-Q101认证，表明其满足汽车级应用的严格质量与可靠性要求，可用于车载信息娱乐系统、ADAS模块或车载充电管理单元等场景。综合来看，RUF015N02TL凭借其低Rds(on)、低Qg、高可靠性及小型化封装，成为现代高效率电源管理解决方案中的理想选择。
广泛应用于同步降压转换器、负载开关电路、锂电池保护板、便携式消费类电子产品（如智能手机、平板电脑）、移动电源、USB PD快充适配器、电机驱动模块以及汽车电子中的低电压电源管理单元。
RUSA015N02, RUM001N02, SiSS15DN, AOZ5311PI
