NXV75UPR 时间：2025/9/14 7:04:46 阅读：6

NXV75UPR 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）推出的双通道、N沟道功率MOSFET器件。该器件采用先进的Trench沟槽技术，具有较低的导通电阻（Rds(on)）和优异的开关性能，适用于高效率、高功率密度的电源应用。NXV75UPR通常采用双MOSFET封装设计，便于在同步整流、DC-DC转换器、负载开关等应用中实现紧凑布局和高效能操作。该器件符合AEC-Q101汽车级可靠性标准，适用于汽车电子系统。

参数

类型：N沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：60V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：30A（单通道）
　　导通电阻（Rds(on)）：7.5mΩ（典型值，Vgs=10V）
　　功率耗散（Pd）：100W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装类型：DFN5x6
　　配置：双通道

特性

NXV75UPR 的核心优势在于其低导通电阻和高电流能力，这使得该器件在高功率应用中能够显著降低导通损耗，提高系统效率。
　　其采用的Trench技术优化了电场分布，提高了器件的击穿电压稳定性，同时降低了开关损耗，适合高频开关应用。
　　此外，NXV75UPR 采用DFN5x6封装，具有良好的热性能和空间利用率，适合在空间受限的电路中使用。这种封装形式还具有较低的寄生电感，有助于提升开关速度和减小电磁干扰（EMI）。
　　该器件支持同步整流拓扑结构，常用于DC-DC降压或升压变换器中作为高边和低边开关，以提高转换效率。
　　同时，NXV75UPR 具有较强的过热和过流承受能力，增强了系统在严苛环境下的稳定性和可靠性。它还符合RoHS环保标准和无卤素要求，适用于绿色电子产品的设计需求。
　　在汽车电子领域，NXV75UPR 由于符合AEC-Q101标准，被广泛用于车载电源系统、电机控制、电池管理系统（BMS）等关键模块中。

应用

NXV75UPR 主要应用于各类高效率电源系统，包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动器、工业自动化控制设备以及车载电源系统等。
　　其双通道结构特别适合用于同步整流拓扑中，作为高边和低边开关，实现高效的能量转换。
　　在汽车电子方面，NXV75UPR可用于车载充电系统、启停系统、电动助力转向系统（EPS）等对可靠性和效率要求较高的场合。
　　此外，该器件也可用于服务器电源、通信设备电源模块、便携式储能设备等需要高功率密度和高效率的电子系统中。