时间：2025/6/22 2:02:29
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IPB65R190CFD 是英飞凌（Infineon）推出的一款基于 TRENCHSTOP? 技术的 MOSFET。该器件采用了先进的沟槽栅极结构设计，具有较低的导通电阻和开关损耗，非常适合高频开关应用。
这款 MOSFET 的额定电压为 650V，适用于需要高电压耐受能力的应用场景。同时，其优化的热性能和电气性能使其在功率转换、电机驱动和其他功率电子应用中表现出色。
最大漏源电压：650V
最大连续漏极电流：22A
最大栅极漏电流：±1nA
最大漏源导通电阻（典型值）：190mΩ
结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装类型：TO-247
IPB65R190CFD 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，有助于减少导通损耗，提高整体效率。
2. 出色的开关性能，包括较低的开关损耗和优化的栅极电荷 Qg，适合高频应用。
3. 高度可靠的 TRENCHSTOP? 技术确保了长期使用的稳定性。
4. 快速恢复体二极管，进一步减少了反向恢复损耗。
5. 高雪崩能力，能够在异常工作条件下提供额外保护。
6. 采用 TO-247 封装，具有良好的散热性能。
IPB65R190CFD 广泛应用于多种领域，包括但不限于：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的高频开关元件。
2. 电机驱动和逆变器电路中的功率开关。
3. 工业自动化设备中的功率控制模块。
4. 太阳能微逆变器和其他可再生能源系统中的功率管理部分。
5. 电池管理系统 (BMS) 中的充放电控制开关。
由于其高耐压能力和低导通电阻，这款 MOSFET 在要求高效率和可靠性的应用场景中表现尤为突出。
IPW60R190C6
IPP60R190PFD
IPP60R190CP
IRFP460
