型号：RUE002N02TL
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：20V
　　最大栅源电压(VGS)：±12V
　　连续漏极电流(ID)：6.9A
　　脉冲漏极电流(ID_pulse)：27A
　　导通电阻(RDS(on)_max)：2.2mΩ @ VGS=4.5V
　　导通电阻(RDS(on)_typ)：1.8mΩ @ VGS=4.5V
　　阈值电压(Vth_min)：0.4V
　　阈值电压(Vth_max)：1.0V
　　输入电容(Ciss)：1020pF @ VDS=10V
　　输出电容(Coss)：380pF @ VDS=10V
　　反向传输电容(Crss)：100pF @ VDS=10V
　　栅极电荷(Qg)：8.5nC @ VGS=4.5V
　　上升时间(tr)：6ns
　　下降时间(tf)：6ns
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：WPAK (Dual Power-SO8)
　　安装方式：表面贴装(SMD)

RUE002N02TL采用了瑞萨先进的沟槽栅极技术与双扩散结构，这种设计显著降低了器件的导通电阻（RDS(on)），同时优化了开关速度和热性能。其典型RDS(on)仅为1.8mΩ，在4.5V的栅极驱动电压下即可实现极低的导通损耗，特别适合用于高效率DC-DC转换器和同步整流应用。由于导通电阻极低，即使在大电流条件下也能有效减少发热，提高系统整体能效。此外，该MOSFET具备较低的栅极电荷（Qg=8.5nC）和米勒电容（Crss=100pF），有助于降低开关过程中的能量损耗，提升高频工作下的动态性能。
　　该器件的阈值电压范围为0.4V至1.0V，属于超低阈值类型，能够兼容3.3V甚至更低电压的逻辑信号直接驱动，无需额外的电平转换电路，简化了控制设计。其输入电容（Ciss）为1020pF，在同类产品中处于较低水平，进一步减少了驱动电路的负担。RUE002N02TL还具备出色的热稳定性，采用WPAK双功率SO8封装，内部结构优化了散热路径，使得结到外壳的热阻（Rth(j-c)）非常低，有利于热量快速传导至PCB或散热器，从而维持器件在安全温度范围内运行。
　　在可靠性方面，RUE002N02TL经过严格的生产测试和质量管控，能够在-55°C至+150°C的宽结温范围内稳定工作，适应严苛的工业环境。它具备一定的雪崩能量承受能力，可在突发过压或感性负载切换时提供基础保护，避免立即损坏。此外，该器件符合RoHS指令要求，不含铅和其他有害物质，适用于绿色环保电子产品设计。综合来看，RUE002N02TL凭借其低RDS(on)、快速开关、良好热性能和高可靠性，成为现代高效电源系统中的关键组件之一。

RUE002N02TL广泛应用于需要高效能、小尺寸和低功耗特性的电子系统中。典型应用场景包括同步降压型DC-DC转换器，其中作为上下桥臂开关使用，尤其适合用于CPU核心供电、FPGA电源轨及嵌入式处理器的多相VRM设计。由于其低导通电阻和快速开关特性，可显著提升电源转换效率，减少能量损耗和发热问题。
　　在电池供电设备如智能手机、平板电脑、笔记本电脑和便携式医疗仪器中，该MOSFET常被用作负载开关或电源路径管理单元，实现对不同功能模块的上电/断电控制，延长续航时间。此外，在电机驱动电路中，RUE002N02TL可用于H桥或半桥拓扑结构中，驱动小型直流电机或步进电机，适用于无人机、机器人和智能家居设备中的执行机构控制。
　　工业自动化领域也是其重要应用方向，例如PLC模块、传感器供电管理、LED驱动电源等场合，利用其高可靠性和宽温工作能力，确保系统长期稳定运行。同时，该器件还可用于热插拔电路、OR-ing二极管替代方案以及各类电源多路复用设计中，发挥其低损耗和快速响应的优势。得益于其SMD封装形式，易于实现自动化贴片生产，适合大批量制造需求。

RUI2002N02TR-FE
　　RUR2002N02T
　　SiSS102DN-T1-GE3
　　AOZ5302NQI-02