时间：2025/8/25 2:38:55
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R3060P2 是一款由 Renesas Electronics 生产的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率开关应用。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，适用于电源转换器、电机控制、DC-DC 转换器以及各种工业和汽车电子系统。R3060P2 通常采用 TO-220 或 TO-247 等标准封装形式，便于散热和安装。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：60A
最大漏源电压（VDS）：30V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：典型值为 4.5mΩ（在 VGS=10V 时）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-220 或 TO-247
R3060P2 MOSFET 具有多个显著的性能特点，首先，其低导通电阻有助于降低导通损耗，提高电源转换效率。该器件在 VGS=10V 时的 Rds(on) 典型值仅为 4.5mΩ，这对于高电流应用尤为重要。
其次，R3060P2 的最大漏极电流为 60A，支持在高负载条件下稳定工作。漏源电压额定值为 30V，适用于中低压功率转换场景，如电池管理系统、DC-DC 转换器和马达驱动电路。
此外，R3060P2 具备良好的热稳定性，能够在高温环境下运行。其工作温度范围从 -55°C 到 +175°C，确保在严苛的工业和汽车环境中可靠运行。该器件的封装设计优化了散热性能，使热量能有效传导至散热器或 PCB 板。
最后，R3060P2 的栅极驱动电压范围为 ±20V，兼容多种常见的驱动电路设计。其快速开关特性降低了开关损耗，提升了整体系统效率。这些特性使 R3060P2 成为高性能功率管理应用的理想选择。
R3060P2 MOSFET 广泛应用于多个领域，包括但不限于工业电源、DC-DC 转换器、电池管理系统（BMS）、电机控制、负载开关、汽车电子系统以及高功率 LED 驱动电路。在工业电源中，R3060P2 常用于同步整流和高效率功率转换，其低导通电阻可显著降低损耗，提高整体效率。在电池管理系统中，该器件可用于充放电控制和电池均衡电路。在电机控制应用中，R3060P2 可作为 H 桥驱动电路的核心开关元件，实现高效、可靠的电机驱动。在汽车电子系统中，R3060P2 可用于车载电源管理、电动助力转向系统（EPS）和车载充电器（OBC）等关键模块。此外，该器件也可用于高功率 LED 照明系统的驱动电路，提供稳定可靠的电流控制。
SiHF60N30EF, IRF60N30D, FDP60N30
