IXFK21N100 时间：2025/8/5 16:41:29 阅读：31

IXFK21N100是一款由IXYS公司生产的高功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高电压和高电流应用设计。该器件属于N沟道增强型MOSFET，具有高耐压、低导通电阻和高可靠性等优点，适用于工业控制、电源转换、电机驱动以及新能源系统等领域。IXFK21N100采用TO-264封装形式，便于散热和安装，确保在高功率运行时的稳定性。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极-源极电压（Vds）：1000V
　　漏极电流（Id）：21A（最大值）
　　导通电阻（Rds(on)）：0.42Ω（典型值）
　　栅极电荷（Qg）：140nC（典型值）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-264

特性

IXFK21N100具备一系列优良的电气和热性能特性。首先，其漏极-源极电压高达1000V，能够承受极端电压应力，适用于高压电源和逆变器系统。其次，该MOSFET的导通电阻较低，典型值为0.42Ω，有助于降低导通损耗并提高能效。此外，该器件具有较高的栅极电荷（Qg）值为140nC，这在一定程度上影响了开关速度，但在高功率应用场景中可提供更稳定的开关性能。IXFK21N100还具备良好的热稳定性和高耐久性，能够在严苛的环境条件下可靠运行。其TO-264封装设计优化了散热性能，适合高功率密度应用。此外，该器件具有快速恢复二极管特性，可有效减少反向恢复损耗，提高整体系统效率。

应用

IXFK21N100广泛应用于高功率电子设备中，如不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电机驱动器、工业电源、电焊机和功率因数校正（PFC）电路等。在太阳能逆变器中，IXFK21N100可用于直流到交流的高效能量转换；在电机驱动系统中，它可作为主开关元件，提供稳定的高电压和高电流控制；在工业电源设备中，该MOSFET可提高电源转换效率并减小系统体积。此外，该器件还可用于高功率LED驱动、电池管理系统（BMS）以及电动汽车充电设备等领域。